[發明專利]一種基于交指電容的小型化人工磁導體及應用

無效

• 申請號: 201310283388.6
• 申請日: 2013-07-05
• 公開（公告）號: CN103401077A
• 公開（公告）日: 2013-11-20
• 發明（設計）人: 陳娟;張小娟;張安學;魏立;紐莉榮
• 申請（專利權）人: 西安交通大學
• 主分類號: H01Q15/00
• 分類號: H01Q15/00;H01Q1/38;H01Q5/01;H01Q7/00
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 徐文權

1.一種基于交指電容的小型化人工磁導體，其特征在于，包括介質基板（3），在介質基板（3）的上、下表面均刻蝕有金屬平板，所述介質基板（3）的上表面的金屬平板是由形狀相同的四根金屬條排列而成的渦旋諧振環（1），且在四根金屬條相交的縫隙處敷設有交指電容（4）。

2.根據權利要求1所述的一種基于交指電容的小型化人工磁導體，其特征在于，所述的交指電容（4）由若干金屬條相互交錯而成。

3.根據權利要求2所述的一種基于交指電容的小型化人工磁導體，其特征在于，所述的金屬條的形狀為矩形，個數為20個。

4.根據權利要求2所述的一種基于交指電容的小型化人工磁導體，其特征在于，所述交指電容（4）的交指電容量C滿足式（1）：

C=(ϵr+1)ϵ0K(k)2K(k′)(N-1)lc;---(1)]]>

其中，C為交指電容量，l_c為交指長度，N為交指數目，K(k)為第一類完全橢圓積分，k和k'分別滿足式（2）和式（3）；

k=(s/2+wc/2)2-(s/2)20.5*(wc+s);---(2)]]>

k′=1-k2---(3)]]>

其中，w_c為交指寬度，s為交指間距。