[發明專利]一種晶硅太陽電池PECVD色差片去膜重鍍的返工工藝

無效

• 申請號: 201310282761.6
• 申請日: 2013-07-08
• 公開（公告）號: CN103400890A
• 公開（公告）日: 2013-11-20
• 發明（設計）人: 涂宏波;李茂林;王學林;陳世明;劉自龍;李仙德;陳康平;金浩
• 申請（專利權）人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;B08B3/08
• 代理公司: 浙江杭州金通專利事務所有限公司 33100
• 代理人: 吳關炳

技術領域

本發明屬于晶體硅太陽能電池制造領域，特別是涉及一種晶硅太陽電池PECVD色差片去膜重鍍的返工工藝，具體是指對等離子體增強化學氣相沉積法（PECVD）鍍膜產生膜層顏色異常硅片進行的一種特殊處理方法。

背景技術

目前，晶硅太陽能電池已經越來越成熟，對太陽能電池的外觀質量有更高的要求，膜層不均勻或異常被視為外觀質量問題。因此，在做成成品電池片之前，必須要對此類硅片進行返工處理。色差片主要包括放電異常產生的彩虹片，片間顏色差異和卡點處發白的色差片，以及雙面鍍膜片和反鍍片，這些硅片如果做成成品電池片將嚴重影響電池片的合格率，甚至導致電池片的報廢。

在PECVD的返工片中主要為色差片，因此，解決電池片生產過程中PECVD產生的外觀不良問題，可以有效的提高產品的合格率，從而降低生產成本。目前，已有的返工技術方案是將PECVD產生的各類返工片進行去膜，制絨，擴散，刻蝕，PECVD，絲網印刷和燒結等多個工序，工序多，耗時長，而且這種返工方法會產生大量花片，即亮片，它嚴重影響了電池片的外觀和效率。因此，勢必要有一種工序少，耗時短，不產生花片的返工方法來解決此類問題。

發明內容

本發明的目的就是為了解決現有技術之不足而提供一種工序少，耗時短，不產生花片的晶硅太陽電池PECVD色差片的返工方法。

本發明解決上述技術問題所采取的技術方案是，一種晶硅太陽電池PECVD色差片去膜重鍍的返工工藝，其包括去膜清洗、管式PECVD鍍膜、絲網印刷和燒結步驟；所述去膜清洗的具體分步驟為HF去膜、水洗1、HCl酸洗、水洗2、HF酸洗、水洗3、水洗4、水洗5和干燥；除水洗5分步驟外，其余各酸洗和水洗分步驟均需鼓泡。

作為一種優選，所述的HF去膜分步驟中采用質量濃度為15%~40%的HF溶液，反應時間為10~30分鐘；所述的HCl酸洗分步驟中采用質量濃度為3%~10%的HCl溶液，浸泡時間為60~200s；所述的HF酸洗分步驟中采用質量濃度為3%~10%的HF溶液，浸泡時間為60~200s。

作為一種優選，所述的水洗1，水洗2，水洗3，水洗4和水洗5分步驟的水洗時間均在60~500s，所述的水洗5分步驟的溫度控制在60℃以上。

作為一各種優選，所述的干燥分步驟采用甩干的方法，甩干時間在300~600s。

本發明所針對的返工片類型包括：放電異常產生的彩虹片，片間顏色差異和卡點處發白的色差片，以及雙面鍍膜片和反鍍片。去膜清洗步驟中，酸洗和水洗在各自的洗槽進行，除了水洗5槽不用鼓泡以外，其余各酸洗槽和水洗槽均開啟鼓泡功能。

本發明中，HF去膜分步驟的作用在于去除硅片表面的氮化硅膜層；?HCl酸洗分步驟的作用在于去除硅片表面的金屬離子，使硅片表面更加干凈；?HF酸洗分步驟的作用在于使硅片表面具有疏水性，易于脫水；水洗1，水洗2，水洗3，水洗4和水洗5分步驟的作用分別為清洗硅片表面去膜反應物，清洗硅片殘留的HCl，清洗硅片殘留的HF，進一步清洗硅片表面以及增加硅片的脫水性。

本發明中，清洗后硅片的干燥采用甩干方法，根據甩干設備的具體情況，甩干時間可以在300~600s，使硅片表面完全干燥。將甩干后的硅片直接采用管式PECVD鍍膜，然后絲網印刷正反電極和背場，最后進行燒結，形成成品電池片。

本發明改進了傳統返工方法，減少了制絨、擴散以及刻蝕等步驟，降低了生產成本。返工后的硅片表面干凈，電池片的轉換效率和合格率接近正常水平，外觀正常，未產生花片。

附圖說明

圖1為本發明工藝流程示意圖。

具體實施方式

下面通過實施例對本發明技術方案作進一步說明，但是本發明并不局限于此。在閱讀了本發明記載的內容之后，本領域技術人員可以對本發明作各種改動或修改，但這些等效變化和修飾同樣落入本發明權利要求所限定的范圍。

實施例1：

如圖1所示，一種晶硅太陽電池PECVD色差片去膜重鍍的返工工藝，其步驟包括去膜清洗、PECVD、絲網印刷和燒結，其中去膜清洗具體包括HF去膜、水洗1、HCl酸洗、水洗2、HF酸、洗水洗3、水洗4、水洗5和干燥分步驟。具體實施過程如下：