[發明專利]控制高馬赫數激波與附面層干擾流動分離的裝置有效
| 申請號： | 201310282649.2 | 申請日： | 2013-07-05 |
| 公開（公告）號： | CN103303469A | 公開（公告）日： | 2013-09-18 |
| 發明（設計）人： | 李偉鵬 | 申請（專利權）人： | 上海交通大學 |
| 主分類號： | B64C23/06 | 分類號： | B64C23/06 |
| 代理公司： | 上海交達專利事務所 31201 | 代理人： | 王毓理;王錫麟 |
| 地址： | 200240 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 控制 馬赫數 激波 附面層 干擾 流動 分離 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于控制高馬赫數激波與附面層干擾流動分離的裝置，其特征在于，包括：基部分流楔與尾緣微型渦流發生器，其中：后仰楔形結構的基部分流楔設置于激波與附面層干擾區的前端且距離，即后緣到激波入射點的距離，小于等于3個附面層的厚度，尾緣微型渦流發生器設置于基部分流楔的尾緣。
2.根據權利要求1所述的裝置，其特征是，所述基部分流楔的前、后緣高度H2、H1以及寬度D和長度L分別滿足的條件為：0≤H2≤H1≤δ；2H1≤D≤5H1；4H1≤L≤10H1；其中：δ為來流附面層的厚度。
3.根據權利要求1所述的裝置，其特征是，所述的尾緣微型渦流發生器采用一個渦流發生單元或多個渦流發生單元排列構成，其中：每個渦流發生單元的水平最大高度h和軸向最大長度l滿足：0≤h≤0.3H1；0≤l≤0.5H1，其中：H1為基部分流楔的后緣高度。
4.根據權利要求3所述的裝置，其特征是，所述的渦流發生單元的形狀采用圓柱形、鋸齒形、后仰型楔形或前傾型楔形結構。
5.根據權利要求3所述的裝置，其特征是，所述的排列采用中心軸對稱的方式。
6.根據權利要求3所述的裝置，其特征是，所述的排列采用軸向垂直的單排多個方式、軸向垂直的雙排對齊方式或雙排交錯等排列方式。
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