[發明專利]一種在緩沖層上生長氮化鎵外延層的方法有效
| 申請號： | 201310282192.5 | 申請日： | 2013-07-05 |
| 公開（公告）號： | CN103361719A | 公開（公告）日： | 2013-10-23 |
| 發明（設計）人： | 林明金;魏世禎;胡加輝 | 申請（專利權）人： | 華燦光電股份有限公司 |
| 主分類號： | C30B25/18 | 分類號： | C30B25/18;C30B29/38;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 緩沖 生長 氮化 外延 方法 | ||
1.一種在緩沖層上生長氮化鎵外延層的方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一襯底；
在所述襯底上生長復合緩沖層，所述復合緩沖層為多周期結構，每一周期包括AlxGa1-xN層和在所述AlxGa1-xN層上生長的InyGa1-yN層，其中0<x<1,0<y<0.30；
在所述復合緩沖層上生長GaN外延層。
2.如權利要求1所述的在緩沖層上生長氮化鎵外延層的方法，其特征在于，所述InyGa1-yN層的生長壓力高于所述AlxGa1-xN層的生長壓力。
3.如權利要求2所述的在緩沖層上生長氮化鎵外延層的方法，其特征在于，所述AlxGa1-xN層的生長壓力為100～500托。
4.如權利要求2所述的在緩沖層上生長氮化鎵外延層的方法，其特征在于，所述InyGa1-yN層的生長壓力為200～800托。
5.如權利要求1所述的在緩沖層上生長氮化鎵外延層的方法，其特征在于，所述InyGa1-yN層的生長溫度低于所述AlxGa1-xN層的生長溫度。
6.如權利要求5所述的在緩沖層上生長氮化鎵外延層的方法，其特征在于，所述AlxGa1-xN層的生長溫度為500～900℃。
7.如權利要求5所述的在緩沖層上生長氮化鎵外延層的方法，其特征在于，所述InyGa1-yN層的生長溫度為400～700℃。
8.如權利要求1至7中任一權利要求所述的在緩沖層上生長氮化鎵外延層的方法，其特征在于，所述AlxGa1-xN層的厚度為1～50nm。
9.如權利要求1至7中任一權利要求所述的在緩沖層上生長氮化鎵外延層的方法，其特征在于，所述InyGa1-yN層的厚度為1～50nm。
10.如權利要求1至7中任一權利要求所述的在緩沖層上生長氮化鎵外延層的方法，其特征在于，所述復合緩沖層的周期數為1～12。
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