[發明專利]OLED面板及其封裝方法有效
| 申請號: | 201310282099.4 | 申請日: | 2013-07-05 |
| 公開(公告)號: | CN103337511B | 公開(公告)日: | 2016-11-02 |
| 發明(設計)人: | 余威 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳市德力知識產權代理事務所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 面板 及其 封裝 方法 | ||
1.一種OLED面板,其特征在于,包括:基板(40)、形成于基板(40)上的數個OLED元件(42)、與基板(40)相對貼合設置的封裝蓋板(20)及設于基板(40)與封裝蓋板(20)之間且對應OLED元件(42)設置的數個密封膠框(60),所述封裝蓋板(20)對應數個OLED元件(42)設有數個凸起部(22),所述凸起部(22)周圍形成有凹槽(24),所述密封膠框(60)位于所述凹槽(24)內,所述凸起部(22)的下表面接近OLED元件(42)的上表面。
2.如權利要求1所述的OLED面板,其特征在于,所述封裝蓋板(20)由玻璃制成,所述凹槽(24)通過蝕刻制程形成。
3.如權利要求2所述的OLED面板,其特征在于,所述蝕刻制程為酸蝕刻制程或干蝕刻制程。
4.如權利要求1所述的OLED面板,其特征在于,所述基板(40)為玻璃基板;所述OLED元件(42)包括:形成于基板(40)上的陽極(422)、形成于陽極(422)上的有機材料層(424)、及形成于有機材料層(424)上的陰極(428)。
5.一種OLED面板的封裝方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟1、提供封裝蓋板(20),所述封裝蓋板(20)設有數個凸起部(22),所述凸起部(22)周圍形成有凹槽(24);
步驟2、將所述封裝蓋板(20)進行清洗烘干;
步驟3、在所述封裝蓋板(20)的凹槽(24)內對應數個凸起部(22)的外周緣涂布UV膠,該UV膠的厚度大于該凸起部(22)的高度;
步驟4、提供形成有OLED元件(42)的基板(40),所述OLED元件(42)對應所述封裝蓋板(20)的凸起部(22)設置;
步驟5、在氮氣環境下將所述封裝蓋板(20)和所述基板(40)對位貼合,所述封裝蓋板(20)的凸起部(22)朝向所述基板(40),并通過紫外線照射固化UV膠形成密封膠框(60),從而完成OLED面板的封裝。
6.如權利要求5所述的OLED面板的封裝方法,其特征在于,所述封裝蓋板(20)由玻璃基板制成,所述凹槽(24)通過蝕刻制程形成,所述蝕刻制程為酸蝕刻制程或干蝕刻制程。
7.如權利要求5所述的OLED面板的封裝方法,其特征在于,所述OLED元件(42)包括:形成于基板(40)上的陽極(422)、形成于陽極(422)上的有機材料層(424)、及形成于有機材料層(424)上的陰極(428)。
8.一種OLED面板的封裝方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟101、提供封裝蓋板(20),所述封裝蓋板(20)設有數個凸起部(22),所述凸起部(22)周圍形成有凹槽(24);
步驟102、將所述封裝蓋板(20)進行清洗烘干;
步驟103、在所述封裝蓋板(20)的凹槽(24)內對應數個凸起部(22)的外周緣涂布玻璃膠,該玻璃膠的厚度大于該凸起部(22)的高度,并在高溫爐中烘烤,使玻璃膠硬化;
步驟104、在所述封裝蓋板(20)的最外側邊緣涂布一圈UV膠;
步驟105、提供形成有OLED元件(42)的基板(40),所述OLED元件(42)對應所述封裝蓋板(20)的凸起部(22)設置;
步驟106、在氮氣環境下將所述封裝蓋板(20)和所述基板(40)對位貼合,所述封裝蓋板(20)的凸起部(22)朝向所述OLED基板(40),并通過紫外線照射固化UV膠;
步驟107、通過激光照射,使玻璃膠先熔化以粘合封裝蓋板(20)與基板(40)再固化形成密封膠框(60),從而完成OLED面板的封裝。
9.如權利要求8所述的OLED面板的封裝方法,其特征在于,所述封裝蓋板(20)由玻璃基板制成,所述凹槽(24)通過蝕刻制程形成,所述蝕刻制程為酸蝕刻制程或干蝕刻制程。
10.如權利要求8所述的OLED面板的封裝方法,其特征在于,所述OLED元件(42)包括:形成于基板(40)上的陽極(422)、形成于陽極(422)上的有機材料層(424)、及形成于有機材料層(424)上的陰極(428)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





