[發明專利]一種制造ESD器件的方法、ESD器件和顯示面板

有效

• 申請號: 201310281912.6
• 申請日: 2013-07-05
• 公開（公告）號: CN103441119A
• 公開（公告）日: 2013-12-11
• 發明（設計）人: 蔡振飛;郝昭慧
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L23/60
• 分類號: H01L23/60
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，特別是涉及一種制造防靜電擊穿ESD（ESD，Electro?Static?Discharge）器件的方法、ESD器件和顯示面板。

背景技術

在平板顯示裝置中，薄膜晶體管液晶顯示器（TFT-LCD，Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display）具有體積小、功耗低、制造成本相對較低和無輻射等特點，在當前的平板顯示器市場占據了主導地位。有機發光二極管（OLED，Organic?Light-Emitting?Diode），其顯示技術與傳統的LCD顯示方式不同，無需背光燈，采用非常薄的有機材料涂層和玻璃基板，當有電流通過時，這些有機材料就會發光，因此具備輕薄、省電等特性。

在所述平板顯示裝置的制作過程中，靜電擊穿現象經常發生。靜電擊穿會導致顯示裝置中的陣列基板上的像素電路異常，嚴重時會導致陣列基板上的像素電路短路，陣列基板無法正常工作。因此需要在陣列基板上形成防靜電器件以及時釋放靜電，防止陣列基板發生靜電損傷。

一般地，通過一個或者若干個起開關作用的薄膜晶體管TFT和引線組成防靜電器件，防靜電器件中的不同引線分別作為靜電的輸入端和輸出端，將靜電從輸入端經過TFT導出到輸出端，或者靜電在引線上逐漸衰減，達到釋放靜電的目的。但是在制作防靜電器件的TFT和引線的過程中，不可避免地存在靜電，由于此時ESD器件還未形成，因此不能夠起到釋放靜電的作用，玻璃基板上積聚的靜電電荷會擊穿陣列基板中較薄弱的部分，因此積聚的靜電電荷會在防靜電器件形成之前將該防靜電器件擊穿，導致防靜電器件損傷，不能夠起到釋放靜電的作用。

發明內容

本發明實施例提供了一種制造防靜電擊穿ESD器件的方法、陣列基板和顯示面板，能夠較好地解決陣列基板上積聚的靜電電荷對未形成的ESD器件的破壞，提高陣列基板的良品率。

一種制造防靜電擊穿ESD器件的方法，包括：在ESD器件的制造過程中，通過構圖工藝在基板上形成薄膜晶體管，以及與所述薄膜晶體管柵極和源極連接的第一引線，且將所述第一引線斷開為至少兩段引線段；或與所述薄膜晶體管柵極和漏極連接的第二引線，且將所述第二引線斷開為至少兩段引線段；在形成第一引線或第二引線的基板上，沉積鈍化層薄膜，通過構圖工藝在所述鈍化層薄膜上形成用于連接引線段的過孔；在形成過孔的基板上沉積透明導電膜層，所述透明導電膜層通過過孔將所述引線段之間導通在ESD器件的制造過程中，通過構圖工藝在基板上依次形成柵極、有源層，源極和漏極，以及與所述柵極和源極連接的第一引線，且將所述第一引線斷開為至少兩段引線段；或通過構圖工藝在基板上依次形成柵極、有源層，源極和漏極，以及與所述柵極和漏極連接的第二引線，且將所述第二引線斷開為至少兩段引線段；在形成第一引線或第二引線的基板上，沉積鈍化層薄膜，通過構圖工藝在所述鈍化層薄膜上刻蝕出用于連接兩段引線段的過孔；在形成過孔的基板上沉積透明導電膜層，所述透明導電膜層通過過孔將所述引線段之間導通。

一種通過上述方法制作的ESD器件，包括形成在基板上的薄膜晶體管TFT，其中：所述TFT的源極和柵極與第一引線相連，且所述第一引線包含至少兩段斷開的引線段；或所述TFT的柵極和漏極與第二引線相連，且所述第二引線包含至少兩段斷開的引線段；其中所述至少兩段斷開的引線段之間通過透明導電膜層電性相連。

一種顯示面板，包括上述的ESD器件。

采用上述技術方案，在ESD器件的制造過程中，通過構圖工藝在基板上依次形成薄膜晶體管，以及與薄膜晶體管柵極和源極連接的第一引線，且將所述第一引線斷開為至少兩段引線段；或與薄膜晶體管柵極和漏極連接的第二引線，且將所述第二引線斷開為至少兩段引線段；在形成第一引線或第二引線的基板上，沉積鈍化層薄膜，通過構圖工藝在所述鈍化層薄膜上形成用于連接引線段的過孔；在形成過孔的基板上沉積透明導電膜層，所述透明導電膜層通過過孔將所述引線段之間導通。這樣，在ESD器件形成之前，TFT基板上積聚的靜電就不會損傷到未成形的ESD器件，而當透明導電膜層通過過孔沉積之后，將引線段導通，ESD器件又可以發揮其釋放靜電的作用，并且在TFT基板的制作過程中ESD器件中的透明導電膜層與本發明中的透明導電膜層在同一時間形成，這樣在透明導電膜形成之前，陣列基板上聚集的靜電電荷都不會接觸到ESD器件，而透明導電膜形成后ESD器件已經可以發揮釋放靜電的作用，從而能夠較好地解決陣列基板上積聚的靜電電荷對未形成的ESD器件的破壞，提高陣列基板的良品率。

附圖說明