[發(fā)明專利]一種濺射裝置及利用該濺射裝置的濺射方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310281907.5
• 申請日: 2013-07-05
• 公開（公告）號: CN104018125B
• 公開（公告）日: 2019-05-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 沈載潤;崔丞鎬;尹大相
• 申請（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/54
• 代理公司: 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 康泉;王珍仙

本發(fā)明公開了一種濺射裝置和利用該濺射裝置的濺射方法。所公開的濺射方法通過下述步驟進行：從氣體棒向靶噴射反應(yīng)氣體，進行對基板的成膜；對所述基板的成膜后的厚度分布進行測量；以及根據(jù)所述分布，按照所述靶的區(qū)域，區(qū)別適用所述氣體棒的反應(yīng)氣體噴射量。通過這種濺射方式，能夠均勻地形成在基板上形成的薄膜的厚度，從而能夠使產(chǎn)品的質(zhì)量穩(wěn)定。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種濺射裝置和方法，更具體地，涉及一種將濺射氣體與氧氣一起噴射到靶而進行沉積的反應(yīng)性濺射裝置及利用該濺射裝置的濺射方法。

背景技術(shù)

通常，通過濺射等沉積過程制造適用于顯示裝置的薄膜晶體管。即，對所準(zhǔn)備的沉積靶進行濺射，在作為沉積對象的顯示裝置的基板上形成期望圖案的薄膜。

最近，多使用反應(yīng)性濺射方式，這種濺射方式將濺射氣體與氧氣一起噴射到靶，在基板上形成金屬氧化物薄膜。

但是，由這種濺射形成的薄膜的厚度在基板整個表面上不均勻地形成時，產(chǎn)品的可靠性會大大降低。

因此，要求一種使厚度偏差最小化而能夠形成均勻厚度的薄膜的方案。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的實施例提供一種改善為能夠在基板上形成均勻厚度的薄膜的濺射裝置及利用該濺射裝置的濺射方法。

根據(jù)本發(fā)明實施例的濺射方法包括下述步驟：從氣體棒向靶噴射反應(yīng)氣體，進行對基板的成膜；對所述基板的成膜后的厚度分布進行測量；以及根據(jù)所述厚度分布，按照所述靶的區(qū)域，區(qū)別適用所述氣體棒的反應(yīng)氣體噴射量。

對于與所述厚度分布中的厚度薄的區(qū)域?qū)?yīng)的所述靶的區(qū)域可以減少反應(yīng)氣體噴射量。

所述反應(yīng)氣體可以包括氧氣。

所述氣體棒上可形成有噴射所述反應(yīng)氣體的多個噴射孔，遮擋對應(yīng)于所述厚度分布測量得薄的區(qū)域的位置的噴射孔。

所述氣體棒上可形成有噴射所述反應(yīng)氣體的單一狹縫，遮擋對應(yīng)于所述厚度分布測量得薄的區(qū)域的位置的狹縫部位。

所述靶可以為圓筒形狀，并在所述成膜過程中可以持續(xù)旋轉(zhuǎn)所述靶。

根據(jù)本發(fā)明的實施例的濺射裝置包括：靶，其為對于基板的成膜源；氣體棒，向所述靶噴射反應(yīng)氣體；以及測量儀，對所述基板的成膜后的厚度分布進行測量；所述氣體棒根據(jù)所述厚度分布，按照所述靶的區(qū)域，區(qū)別噴射反應(yīng)氣體。

對于與所述厚度分布中的厚度薄的區(qū)域?qū)?yīng)的所述靶的區(qū)域，可以減少反應(yīng)氣體噴射量。

所述反應(yīng)氣體可以包括氧氣。

所述氣體棒上可形成有噴射所述反應(yīng)氣體的多個噴射孔，遮擋對應(yīng)于所述厚度分布測量得薄的區(qū)域的位置的噴射孔。

所述氣體棒上可形成有噴射所述反應(yīng)氣體的單一狹縫，遮擋對應(yīng)于所述厚度分布測量得薄的區(qū)域的位置的狹縫部位。

所述靶可以為旋轉(zhuǎn)的圓筒形狀。

根據(jù)如上所述的本發(fā)明的方式進行噴射時，能夠均勻地形成在基板上形成的薄膜的厚度，從而能夠使產(chǎn)品的質(zhì)量穩(wěn)定。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例的濺射裝置的結(jié)構(gòu)圖。

圖2為簡要描述通過圖1所示的濺射裝置進行的成膜過程的圖。

圖3為示出通過圖2的成膜過程形成的薄膜的厚度分布的曲線圖。

圖4為示出根據(jù)圖3的厚度分布選擇性地遮擋圖1的濺射裝置中氣體棒的噴射孔的狀態(tài)的圖。

圖5為示出通過圖4的選擇性遮擋噴射孔進行的濺射結(jié)果的曲線圖。

圖6為示出圖4所示的氣體棒的可變形例的圖。