[發明專利]具有寬種晶層的疊層

有效

• 申請號: 201310281851.3
• 申請日: 2013-05-02
• 公開（公告）號: CN103383848B
• 公開（公告）日: 2017-03-01
• 發明（設計）人: E·W·辛格爾頓;李宰榮;K·尼古拉維;V·B·薩波日尼科夫;S·C·威克姆;S·E·麥肯雷
• 申請（專利權）人: 希捷科技有限公司
• 主分類號: G11B5/39
• 分類號: G11B5/39
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司31100
• 代理人: 毛力

1.一種疊層，包括：

種晶層結構，具有第一部分，所述第一部分具有第一跨軌道寬度；以及

自由層，被沉積在種晶層結構上并且具有第二跨軌道寬度，其中第一跨軌道寬度大于第二跨軌道寬度。

2.根據權利要求1的疊層，其特征在于，所述種晶層結構的高度大于第一跨軌道寬度。

3.根據權利要求1的疊層，其特征在于，自由層位于兩個永磁體之間，并且其中第一跨軌道寬度基本上等于兩個永磁體的跨軌道寬度和第二跨軌道寬度的和。

4.根據權利要求1的疊層，其特征在于，進一步包括兩個永磁體和所述兩個永磁體之間的自由層，其中所述種晶層結構包括反鐵磁(AFM)層，并且所述AFM層和所述自由層不重疊。

5.根據權利要求1的疊層，其特征在于，所述種晶層結構的第一部分是合成反鐵磁(SAF)層。

6.根據權利要求1的疊層，其特征在于，所述種晶層結構進一步包括具有錐形化的跨軌道寬度的反鐵磁(AFM)層。

7.根據權利要求1的疊層，其特征在于，所述種晶層結構進一步包括具有梯形形狀的反鐵磁(AFM)層。

8.一種疊層，包括：

兩個屏蔽層；以及

用于減小兩個屏蔽層之間的屏蔽到屏蔽間距的裝置，使得疊層的不對稱性減小到4％或低于4％。

9.根據權利要求8的疊層，其特征在于，所述用于減少屏蔽到屏蔽間距的裝置進一步包括種晶層結構和自由層，所述種晶層結構具有第一部分，所述第一部分具有第一跨軌道寬度，所述自由層被沉積在所述種晶層結構上并具有第二跨軌道寬度，其中第一跨軌道寬度大于第二跨軌道寬度。

10.一種疊層，包括：

自由層，位于第一永磁體和第二永磁體之間；

反鐵磁(AFM)層結構，其中AFM層結構的至少一部分的跨軌道寬度大于自由層的跨軌道寬度，以及

隧道勢壘層，位于自由層和永磁體的組合與AFM層結構之間。

11.根據權利要求10的疊層，其特征在于，AFM層結構的跨軌道寬度基本上等于自由層和永磁體的組合跨軌道寬度。

12.根據權利要求10的疊層，其特征在于，AFM層結構進一步包括：

合成反鐵磁(SAF)層，相鄰于隧道勢壘層；以及

包括AFM材料的種晶層。

13.根據權利要求12的疊層，其特征在于，SAF層的至少部分相鄰于屏蔽層。

14.根據權利要求13的疊層，其特征在于，SAF層的相鄰于屏蔽層的部分的跨軌道寬度基本上等于自由層的跨軌道寬度。

15.根據權利要求12的疊層，其特征在于，AFM層結構的跨軌道表面不與自由層的跨軌道表面重疊。

16.根據權利要求10的疊層，其特征在于，AFM層結構的高度大于AFM層結構的跨軌道寬度。

17.根據權利要求10的疊層，其特征在于，AFM層結構的高度大于自由層的跨軌道寬度。

18.一種裝置，包括：

自由層；

合成反鐵磁(SAF)層；以及

反鐵磁(AFM)層結構，其中AFM層結構的至少部分的跨軌道寬度大于自由層的跨軌道寬度。

19.根據權利要求18的裝置，其特征在于，AFM層結構位于屏蔽層上，其中屏蔽層的至少部分沿著跨軌道方向位于AFM層結構的部分之間。

20.根據權利要求18的裝置，其特征在于，自由層沿著跨軌道方向位于第一永磁體和第二永磁體之間。