[發明專利]固態攝像器件及其制造方法以及電子設備有效
| 申請號: | 201310280699.7 | 申請日: | 2013-07-05 |
| 公開(公告)號: | CN103545330A | 公開(公告)日: | 2014-01-29 |
| 發明(設計)人: | 荒川伸一 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固態 攝像 器件 及其 制造 方法 以及 電子設備 | ||
1.一種固態攝像器件,包括:
半導體基板;以及
多個像素部,設置在該半導體基板上,
其中每個該像素部包括
光電轉換部,基于入射光產生電荷,
存儲部,累積由該光電轉換部產生的電荷,
遮光部,至少對該存儲部遮光,
挖入部,在該光電轉換部和該存儲部之間挖入該半導體基板中,并且由遮光材料形成,以及
傳輸部,通過在該挖入部中形成用于傳輸的溝道而從該光電轉換部傳輸電荷到該存儲部。
2.根據權利要求1所述的固態攝像器件,
其中該挖入部在該光電轉換部和該傳輸部之間形成為該遮光部的一部分,
其中該傳輸部是具有柵極電極的晶體管,并且
其中該柵極電極和該遮光部被連接以形成所述用于傳輸的溝道。
3.根據權利要求2所述的固態攝像器件,
其中每個該像素部還包括連接該柵極電極到配線的接觸部,并且
其中該接觸部形成在該遮光部上。
4.根據權利要求1所述的固態攝像器件,
其中該傳輸部是晶體管,該晶體管的柵極電極用作該挖入部。
5.根據權利要求4所述的固態攝像器件,
其中每個該像素部還包括連接該柵極電極到配線的接觸部,并且
其中該接觸部通過形成在該遮光部中的孔而形成在該柵極電極上。
6.根據權利要求1所述的固態攝像器件,
其中該光電轉換部在該半導體基板中形成為多階堆疊。
7.根據權利要求1所述的固態攝像器件,
其中該傳輸部是具有柵極電極的晶體管,
其中該挖入部具有第一挖入部和第二挖入部,該第一挖入部在該光電轉換部和該傳輸部之間形成為該遮光部的一部分,該第二挖入部形成在該柵極電極中,并且
其中該柵極電極和該遮光部被連接以形成所述用于傳輸的溝道。
8.根據權利要求7所述的固態攝像器件,
其中每個該像素部還包括連接該柵極電極到配線的接觸部,并且
其中該接觸部形成在該遮光部上。
9.根據權利要求7所述的固態攝像器件,
其中每個該像素部還包括連接該柵極電極到配線的接觸部,并且
其中該接觸部通過形成在該遮光部中的孔而形成在該柵極電極上。
10.根據權利要求1所述的固態攝像器件,
其中該挖入部形成為圍繞該光電轉換部,并且
其中該傳輸部中用于傳輸的溝道形成在該挖入部的在該光電轉換部和該存儲部之間的區域中。
11.根據權利要求10所述的固態攝像器件,
其中每個該像素部還包括具有溢流柵的晶體管,當該光電轉換部中產生的電荷量等于或大于預定電荷量時,釋放一部分電荷到電源電位,并且
其中在相對于該溢流柵的溝道形成區域中不形成該挖入部,或者挖入得比其它的位置淺。
12.根據權利要求10所述的固態攝像器件,
其中每個該像素部還包括具有溢流柵的晶體管,當該光電轉換部中產生的電荷量等于或大于預定電荷量時,釋放一部分電荷到電源電位,并且
其中該挖入部還形成在該溢流柵中。
13.一種制造固態攝像器件的方法,包括:
制造半導體基板;以及
制造設置在該半導體基板上的多個像素部,
其中每個該像素部包括基于入射光產生電荷的光電轉換部、累積由該光電轉換部產生的電荷的存儲部、至少對該存儲部遮光的遮光部、在該光電轉換部和該存儲部之間挖入該半導體基板中且由遮光材料形成的挖入部、以及通過在該挖入部中形成用于傳輸的溝道而從該光電轉換部傳輸電荷到該存儲部的傳輸部。
14.一種電子設備,包括:
固態攝像器件,
其中該固態攝像器件包括半導體基板以及設置在該半導體基板上的多個像素部,并且
其中每個該像素部包括基于入射光產生電荷的光電轉換部、累積由該光電轉換部產生的電荷的存儲部、至少對該存儲部遮光的遮光部、在該光電轉換部和該存儲部之間挖入該半導體基板中且由遮光材料形成的挖入部、以及通過在該挖入部中形成用于傳輸的溝道而從該光電轉換部傳輸電荷到該存儲部的傳輸部。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





