[發明專利]半導體發光二極管的外延片及其制造方法

有效

• 申請號: 201310280553.2
• 申請日: 2013-07-05
• 公開（公告）號: CN103337573A
• 公開（公告）日: 2013-10-02
• 發明（設計）人: 吳克敏;魏世禎
• 申請（專利權）人: 華燦光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/12;H01L33/04;H01L33/00
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 徐立

1.一種半導體發光二極管的外延片，包括襯底和依次在所述襯底上生長的低溫緩沖層、高溫緩沖層、復合N型層、復合多量子阱層和復合P型層，所述復合多量子阱層包括第一多量子阱層和在所述第一多量子阱層上生長的第二多量子阱層，所述第一多量子阱層為多周期結構，每一周期包括勢阱層和在所述勢阱層上生長的勢壘層，其特征在于，所述第一多量子阱層每一周期的勢壘層分別摻雜有Si。

2.如權利要求1所述的半導體發光二極管的外延片，其特征在于，在所述第一多量子阱層中，所述Si摻雜在所述勢壘層之遠離所述勢阱層的位置。

3.如權利要求2所述的半導體發光二極管的外延片，其特征在于，所述勢壘層厚度的10％～90％摻雜有所述Si。

4.如權利要求2或3所述的半導體發光二極管的外延片，其特征在于，所述Si的有效摻雜濃度為5×10¹⁶～1×10¹⁹/cm³。

5.如權利要求4所述的半導體發光二極管的外延片，其特征在于，所述勢壘層的厚度為10～15nm。

6.如權利要求4所述的半導體發光二極管的外延片，其特征在于，所述第一多量子阱層的周期數為2～6。

7.一種制造半導體發光二極管外延片的方法，包括：

提供一襯底；

在所述襯底上依次生長低溫緩沖層、高溫緩沖層、復合N型層、復合多量子阱層和復合P型層，其中，所述復合多量子阱層包括第一多量子阱層和在所述第一多量子阱層上生長的第二多量子阱層，所述第一多量子阱層為多周期結構，每一周期包括勢阱層和在所述勢阱層上生長的勢壘層，

其特征在于，生長所述第一多量子阱層每一周期的勢壘層時，在所述勢壘層中摻雜Si。

8.如權利要求7所述的制造半導體發光二極管外延片的方法，其特征在于，在所述第一多量子阱層中，所述Si摻雜在所述勢壘層之遠離所述勢阱層的位置。

9.如權利要求8所述的半導體發光二極管外延片，其特征在于，所述勢壘層厚度的10％～90％摻雜有所述Si。

10.如權利要求9所述的制造半導體發光二極管外延片的方法，其特征在于，所述勢壘層的生長溫度為820～950℃，生長壓力為100Torr～500Torr，Ⅴ/Ⅲ摩爾比為300～5000。