[發明專利]有機發光二極管顯示器在審
| 申請號: | 201310280479.4 | 申請日: | 2013-07-04 |
| 公開(公告)號: | CN103811521A | 公開(公告)日: | 2014-05-21 |
| 發明(設計)人: | 金敏佑;金起范;白守珉;金一南;樸源祥 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/54 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 韓芳;劉奕晴 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光二極管 顯示器 | ||
1.一種有機發光二極管顯示器,所述有機發光二極管顯示器包括:
第一基底;
有機發光二極管,在第一基底上;
第二基底,在有機發光二極管上;
覆蓋層,在第二基底和有機發光二極管之間,覆蓋層收集從有機發光二極管發射的光,覆蓋層沿與有機發光二極管對應的第二基底的方向收集光。
2.如權利要求1所述的有機發光二極管顯示器,其中:
有機發光二極管包括:
第一電極,在第一基底上;
有機發射層,在第一電極上并發射光;
第二電極,在有機發射層上,
覆蓋層收集來自有機發射層的沿遠離第一電極的方向照射的光,覆蓋層沿與第一電極對應的第二基底的方向收集光。
3.如權利要求2所述的有機發光二極管顯示器,其中:
第一電極是光反射電極,
第二電極是光透射電極。
4.如權利要求2所述的有機發光二極管顯示器,其中,第一電極是多個第一電極之一,所述多個第一電極彼此分離。
5.如權利要求4所述的有機發光二極管顯示器,其中:
有機發射層發射白光,
第二基底包括:
多個濾色器,被設置為與第一電極對應;
黑矩陣,設置在濾色器之間,
覆蓋層收集來自有機發射層的沿遠離濾色器的方向照射的光,覆蓋層沿濾色器的方向收集光。
6.如權利要求5所述的有機發光二極管顯示器,其中,濾色器包括:
第一濾色器,具有第一顏色;
第二濾色器,與第一濾色器分離,在第一濾色器和第二濾色器之間具有黑矩陣,第二濾色器具有第二顏色;
第三濾色器,與第二濾色器分離,在第二濾色器和第三濾色器之間具有黑矩陣,第三濾色器具有第三顏色。
7.如權利要求4所述的有機發光二極管顯示器,其中,覆蓋層包括:
多個高折射圖案,彼此分離,并與第一電極對應;
低折射圖案,設置在相鄰的高反射圖案之間。
8.如權利要求7所述的有機發光二極管顯示器,其中,低折射圖案接觸高折射圖案。
9.如權利要求7所述的有機發光二極管顯示器,其中,所述多個高折射圖案中的每個高折射圖案的折射率大于低折射圖案的折射率。
10.如權利要求7所述的有機發光二極管顯示器,其中,所述多個高折射圖案中的每個高折射圖案具有反向梯形端表面。
11.如權利要求1所述的有機發光二極管顯示器,其中,覆蓋層包括與有機發光二極管分離并接觸第二基底的高折射層。
12.如權利要求11所述的有機發光二極管顯示器,其中,覆蓋層還包括在高折射層和有機發光二極管之間的空氣層。
13.如權利要求12所述的有機發光二極管顯示器,其中,覆蓋層還包括在高折射層和空氣層之間的中間折射層。
14.如權利要求13所述的有機發光二極管顯示器,其中,中間折射層接觸高折射層和空氣層。
15.如權利要求13所述的有機發光二極管顯示器,其中,中間折射層的折射率在高折射層的折射率和空氣層的折射率之間。
16.如權利要求11所述的有機發光二極管顯示器,其中,覆蓋層還包括在高折射層和有機發光二極管之間的低折射層。
17.如權利要求16所述的有機發光二極管顯示器,其中,低折射層接觸高折射層和有機發光二極管。
18.如權利要求16所述的有機發光二極管顯示器,其中,低折射層的折射率小于高折射層的折射率。
19.如權利要求16所述的有機發光二極管顯示器,其中,覆蓋層還包括在高折射層和低折射層之間的中間折射層。
20.如權利要求19所述的有機發光二極管顯示器,其中,中間折射層接觸高折射層和低折射層。
21.如權利要求19所述的有機發光二極管顯示器,其中,中間折射層的折射率在高折射層的折射率和低折射層的折射率之間。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





