[發明專利]二次復位電路及復位方法

有效

• 申請號: 201310280444.0
• 申請日: 2013-07-05
• 公開（公告）號: CN103391076A
• 公開（公告）日: 2013-11-13
• 發明（設計）人: 袁海濱;張克功;邵宗有;沙超群;鄭臣明;王暉
• 申請（專利權）人: 曙光信息產業股份有限公司
• 主分類號: H03K17/22
• 分類號: H03K17/22
• 代理公司: 北京新知遠方知識產權代理事務所(普通合伙) 11397
• 代理人: 馬軍芳

1.一種芯片的二次復位電路，其包括第一電阻（R1）、第二電阻（R2）、第三電阻（R3）、第四電阻（R4）、第五電阻（R5）、第一電容（C1）、第二電容（C2）、第三電容（C3）、三極管（Q1）以及場效應管（Q2），其特征在于：

第二電阻（R2）、第一電容（C1）和第二電容（C2）的一端分別與第一電阻（R1）的一端相連接，而它們的另一端與三極管（Q1）的發射極相連接并接地，第一電阻（R1）的另一端與芯片的Core電壓線相連接；

三極管（Q1）的基極與第一電阻（R1）、第二電阻（R2）、第一電容（C1）和第二電容（C2）的所述一端相連接，三極管（Q1）的集電極與場效應管（Q2）的柵極相連接，并且三極管（Q1）的發射極與場效應管（Q2）的源極相連接；

第三電容（C3）的一端與場效應管（Q2）的柵極相連接，另一端與場效應管（Q2）的源極相連接；

第三電阻（R3）的一端與三極管（Q1）的集電極相連接，另一端與第四電阻（R4）串聯并連接至場效應管（Q2）的漏極；

芯片的I/O電壓線連接至第三電阻（R3）和第四電阻（R4）之間，并且場效應管（Q2）的漏極經第五電阻（R5）與Reset信號線連接。

2.如權利要求1所述的二次復位電路，其特征在于，第一電容（C1）和第二電容（C2）由一個等值的電容替換。

3.如權利要求1或2所述的二次復位電路，其特征在于，第三電容（C3）由多個等值的電容替換。

4.一種使用如權利要求1至3中任一所述的二次復位電路來復位芯片的方法，其包括:

（1）在CORE電壓上電瞬間T0時刻，三極管（Q1）的基極電壓V1處于低電平，場效應管（Q2）的柵極電壓V2處于低電平，場效應管（Q2）的漏極電壓V3處于高電平，此后第一電阻（R1）、第一電容（C1）和第二電容（C2）組成的RC電路開始充電，第二電容（C2）兩端電壓開始上升，同時第三電阻（R3）和第三電容（C3）也開始充電；

（2）在T1時刻，第三電容（C3）兩端電壓將場效應管（Q2）導通，此時V1兩端電壓仍不能使三極管（Q1）導通，V1維持處于低電平，V2變化為高電平，V3變化為低電平；

（3）在T2時刻，第二電容（C2）兩端電壓將三極管（Q1）導通，V1變化為高電平，V2變化為低電平，V3變化為高電平，T2之后的時間里V3一直維持處于高電平。

5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，通過調節第一電容（C1）、第二電容（C2）和第三電容（C3）來調節T1時刻和T2時刻。