[發(fā)明專利]具有布拉格反射層的倒裝芯片發(fā)光二級(jí)管及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310280172.4 | 申請(qǐng)日： | 2013-07-05 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN104282816A | 公開（公告）日： | 2015-01-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王冬雷;莊燦陽;朱國(guó)棟 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 大連徳豪光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/46 | 分類號(hào)： | H01L33/46;H01L33/38 |
| 代理公司： | 廣東秉德律師事務(wù)所 44291 | 代理人： | 楊煥軍 |
| 地址： | 116100 遼寧省大*** | 國(guó)省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 布拉格 反射層 倒裝 芯片 發(fā)光 二級(jí) 及其 制備 方法 | ||
1.具有布拉格反射層的倒裝芯片發(fā)光二極管，包括：
襯底材料；
形成于所述襯底材料上的N型層、發(fā)光層和P型層；
形成于所述N型層上的N電極；
其特征在于：
所述P型層上形成有多個(gè)分散設(shè)置的P電極；
在所述P型層表面設(shè)置布拉格反射層，所述P電極凸出于所述布拉格反射層并在所述布拉格反射層表面形成凸點(diǎn)。
2.如權(quán)利要求1所述的具有布拉格反射層的倒裝芯片發(fā)光二極管，其特征在于：所述P電極呈同心圓環(huán)陣列形式排列。
3.如權(quán)利要求2所述的具有布拉格反射層的倒裝芯片發(fā)光二極管，其特征在于：所述N電極位于所述芯片的幾何中心。
4.如權(quán)利要求1所述的具有布拉格反射層的倒裝芯片發(fā)光二極管，其特征在于：所述P電極呈矩陣形式排列。
5.如權(quán)利要求4所述的具有布拉格反射層的倒裝芯片發(fā)光二極管，其特征在于：所述N型層上形成有4個(gè)分散設(shè)置的N電極，所述4個(gè)N電極分別位于所述芯片的四個(gè)角位置。
6.如權(quán)利要求1所述的具有布拉格反射層的倒裝芯片發(fā)光二極管，其特征在于：還包括用于連接所述多點(diǎn)設(shè)置的P電極的電極連接層，所述電極連接層位于所述布拉格反射層表面。
7.如權(quán)利要求6所述的具有布拉格反射層的倒裝芯片發(fā)光二極管，其特征在于：所述電極連接層為金屬連接層。
8.如權(quán)利要求6所述的具有布拉格反射層的倒裝芯片發(fā)光二極管，其特征在于：所述電極連接層為封裝基板線路層。
9.如權(quán)利要求7所述的具有布拉格反射層的倒裝芯片發(fā)光二極管，其特征在于：還包括位于所述P電極和N電極之間的絕緣層，形成P、N雙電極焊接結(jié)構(gòu)。
10.一種具有布拉格反射層的倒裝芯片發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
制作外延片：在襯底材料上形成N型層、發(fā)光層和P型層；
制作電極：在P型層的多個(gè)位置制作歐姆接觸材料，光刻出P電極圖案，進(jìn)行金屬-半導(dǎo)體微合金工藝，經(jīng)沉積、光刻后形成P電極，光刻工藝后P電極露出于P型層，且P電極多點(diǎn)分散設(shè)置于P型層上；刻除部分發(fā)光層，在N型層上制作歐姆接觸材料，光刻出N電極圖案，進(jìn)行金屬-半導(dǎo)體微合金工藝，經(jīng)沉積、光刻后形成N電極，光刻工藝后N電極露出于N型層；
形成布拉格反射層：在P型層上進(jìn)行布拉格反射層鍍膜，通過光刻工藝使P電極露出于布拉格反射層并在布拉格反射層表面形成凸點(diǎn)；
封裝固晶：外延片經(jīng)過襯底材料研磨減薄工藝后，進(jìn)行芯片切割、裂片、測(cè)試及分選，進(jìn)入封裝工藝。
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