[發明專利]一種用于生產碳化硅外延片的化學氣相沉積設備有效
| 申請號： | 201310279780.3 | 申請日： | 2013-07-04 |
| 公開（公告）號： | CN103603048A | 公開（公告）日： | 2014-02-26 |
| 發明（設計）人： | 鈕應喜;楊霏;于坤山 | 申請（專利權）人： | 國家電網公司;國網智能電網研究院 |
| 主分類號： | C30B29/36 | 分類號： | C30B29/36;C30B25/20;C30B25/10;C30B25/14 |
| 代理公司： | 北京安博達知識產權代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐國文 |
| 地址： | 100031 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 生產 碳化硅 外延 化學 沉積 設備 | ||
【權利要求書】：
1.一種化學氣相沉積設備，設備腔體由內向外依次為石墨支撐臺、石墨軟氈層、石英壁層和加熱感應線圈，所述設備腔體還包括固定于石墨支撐臺上氣流阻擋環。
2.如權利要求1所述的設備，其特征在于所述阻擋環形狀為弧形。
3.如權利要求1所述的設備，其特征在于所述弧形阻擋環的寬0.8～1.2cm，半徑比襯底晶片的半徑大1～1.5cm，設置高度為0.3～0.7cm。
4.如權利要求2所述的設備，其特征在于所述阻擋環的弧度為90～180度。
5.如權利要求1所述的設備，其特征在于所述阻擋環為石墨阻擋環。
6.如權利要求5所述的設備，其特征在于所述石墨阻擋環為高純石墨。
7.如權利要求1所述的設備，其特征在于所述阻擋環通過石墨螺絲固定于支撐臺上。
8.如權利要求1所述的設備，其特征在于所述設備用于生產碳化硅外延片。
9.如權利要求1所述的設備，其特征在于所述設備應用于外延片的生產中。
10.如權利要求8所述的設備，其特征在于所述阻擋環的表面鍍有碳化硅或碳化鉭鍍層。
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