[發明專利]一種用于半導體晶片的雙面對線曝光裝置

有效

• 申請號: 201310279738.1
• 申請日: 2013-07-04
• 公開（公告）號: CN103309178A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發明（設計）人: 葛宜威;裘立強;王毅
• 申請（專利權）人: 揚州杰利半導體有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F9/00;G03F1/42
• 代理公司: 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224
• 代理人: 周全

1.一種用于半導體晶片的雙面對線曝光裝置，所述晶片設在上、下掩膜版之間，所述上掩膜版位于所述下掩膜版的上方，所述上掩膜版貼合所述晶片的頂面設有上鉻涂層，所述下掩膜版貼合所述晶片的底面設有下鉻涂層；

????其特征在于，所述雙面對線曝光裝置包括基座、負壓源一、負壓源二和調節機構，所述基座呈板狀，所述基座的側面分別設有氣孔一和氣孔二，

所述基座的頂面中心設有用于放置所述下掩膜版的容置槽，所述基座的底面中心設有連通所述容置槽的通槽，所述通槽的面積≥所述晶片的面積；

????所述容置槽的底面設有氣路，所述氣路呈環形、且位于所述通槽的四周，所述氣路通過所述氣孔一連通所述負壓源一；

????所述上掩膜版設在所述基座上，所述調節機構包括密封圈和分別設在所述上掩膜版底面和基座頂面之間相對的環形凹槽，所述環形凹槽位于所述容置槽的四周，所述密封圈設在所述環形凹槽內，所述環形凹槽通過所述氣孔二連通所述負壓源二；使得所述上掩膜版與基座呈密封結構。

2.根據權利要求1所述的一種用于半導體晶片的雙面對線曝光裝置，其特征在于，所述調節機構還包括滾珠和設在所述上掩膜版底面和基座頂面之間相對的滾珠孔，所述滾珠活動設在所述滾珠孔內。

3.根據權利要求1所述的一種用于半導體晶片的雙面對線曝光裝置，其特征在于，所述上、下掩膜版為玻璃材質。

4.根據權利要求3所述的一種用于半導體晶片的雙面對線曝光裝置，其特征在于，所述上、下掩膜版上分別設有對應的定位標識。

5.根據權利要求4所述的一種用于半導體晶片的雙面對線曝光裝置，其特征在于，所述上掩膜版的底面設有向下凸出的十字架型定位標識，所述下掩膜版的頂面設有方形孔定位標識，所述十字架型定位標識適配地設在所述方形孔定位標識中。