[發(fā)明專利]多層陶瓷電容器及其制造方法

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• 申請日: 2013-07-04
• 公開（公告）號: CN104103424A
• 公開（公告）日: 2014-10-15
• 發(fā)明（設計）人: 金亨俊
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01G4/30
• 分類號: H01G4/30;H01G4/002;H01G4/005;H01G4/12
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司 11283
• 代理人: 王崇;劉國平

1.一種多層陶瓷電容器，所述電容器包括：

陶瓷主體，所述陶瓷主體具有彼此面對的第一側表面和第二側表面以及連接所述第一側表面和所述第二側表面的第三末端表面和第四末端表面；

多個內部電極，所述多個內部電極在所述陶瓷主體中形成，并且所述多個內部電極的一個末端暴露于所述第三末端表面或所述第四末端表面；和第一側邊緣部分和第二側邊緣部分，形成所述第一側邊緣部分和所述第二側邊緣部分使得從所述第一側表面和所述第二側表面到內部電極的邊緣的平均厚度為18μm或更小，和

其中，所述陶瓷主體包括有助于電容形成的有效層和在所述有效層的上部和下部的至少一個上提供的覆蓋層，并且當在所述第一側邊緣部分和所述第二側邊緣部分中的介電晶粒的平均晶粒尺寸定義為Gw，在所述覆蓋層中的介電晶粒的平均晶粒尺寸定義為Gt，和在所述有效層中的介電晶粒的平均晶粒尺寸定義為Ga時，滿足Gw＜Gt＜Ga。

2.根據(jù)權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，在所述第一側邊緣部分和所述第二側邊緣部分中的介電晶粒的平均晶粒尺寸Gw為100-120nm。

3.根據(jù)權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，在所述有效層中的介電晶粒的平均晶粒尺寸Ga為150-160nm。

4.根據(jù)權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述第一側邊緣部分和所述第二側邊緣部分由陶瓷漿料形成。

5.根據(jù)權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述內部電極包括第一內部電極和第二內部電極，所述第一內部電極具有一個末端暴露于所述第三末端表面，而形成另一個末端使得與所述第四末端表面具有預定的間隔，所述第二內部電極具有一個末端暴露于所述第四末端表面，而形成另一個末端使得與所述第三末端表面具有預定的間隔。

6.一種制造多層陶瓷電容器的方法，所述方法包括：

通過使用含有第一陶瓷介電粉末的第一陶瓷漿料形成多個陶瓷生片；

在各自的陶瓷生片上印刷第一內部電極圖案或第二內部電極圖案；

堆疊所述多個陶瓷生片，使得所述第一內部電極圖案和所述第二內部電極圖案交替堆疊，以形成有助于電容形成的有效層，并在所述有效層的上部和下部的至少一個上，堆疊通過使用含有第二陶瓷介電粉末的第二陶瓷漿料形成的陶瓷生片，以形成覆蓋層，所述第二陶瓷介電粉末的晶粒尺寸小于所述第一陶瓷介電粉末的晶粒尺寸，從而制備具有彼此面對的第一側表面和第二側表面以及連接所述第一側表面和所述第二側表面的第三末端表面和第四末端表面的陶瓷主體；和

通過向各自的第一側表面和第二側表面施用含有第三陶瓷介電粉末的第三陶瓷漿料，形成第一側邊緣部分和第二側邊緣部分，所述第三陶瓷介電粉末的晶粒尺寸小于所述第二陶瓷介電粉末的晶粒尺寸。

7.根據(jù)權利要求6所述的方法，其中，當在所述第一側邊緣部分和所述第二側邊緣部分中的介電晶粒的平均晶粒尺寸定義為Gw，在所述覆蓋層中的介電晶粒的平均晶粒尺寸定義為Gt，和在所述有效層中的介電晶粒的平均晶粒尺寸定義為Ga時，滿足Gw＜Gt＜Ga。

8.根據(jù)權利要求6所述的方法，其中，在所述第一側邊緣部分和所述第二側邊緣部分中的介電晶粒的平均晶粒尺寸Gw為100-120nm。

9.根據(jù)權利要求6所述的方法，其中，在所述有效層中的介電晶粒的平均晶粒尺寸Ga為150-160nm。

10.根據(jù)權利要求6所述的方法，其中，將所述多個陶瓷生片、所述第一側邊緣部分和所述第二側邊緣部分在800-1200℃的溫度下燒結。

11.根據(jù)權利要求6所述的方法，其中，所述方法還包括形成第一外部電極和第二外部電極，所述第一外部電極和所述第二外部電極分別與暴露于所述第三末端表面的所述第一內部電極圖案和暴露于所述第四末端表面的所述第二內部電極圖案連接。

12.根據(jù)權利要求6所述的方法，其中，所述第一側邊緣部分和所述第二側邊緣部分的平均厚度為18μm或更小。