[發明專利]多層陶瓷電容器及其制造方法有效
| 申請號: | 201310279468.4 | 申請日: | 2013-07-04 |
| 公開(公告)號: | CN104103419A | 公開(公告)日: | 2014-10-15 |
| 發明(設計)人: | 金亨俊 | 申請(專利權)人: | 三星電機株式會社 |
| 主分類號: | H01G4/12 | 分類號: | H01G4/12;H01G4/30 |
| 代理公司: | 北京潤平知識產權代理有限公司 11283 | 代理人: | 王崇;劉國平 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 多層 陶瓷 電容器 及其 制造 方法 | ||
1.一種多層陶瓷電容器,所述電容器包括:
陶瓷主體,所述陶瓷主體具有彼此相反的第一側表面和第二側表面以及將所述第一側表面和所述第二側表面彼此連接的第三末端表面和第四末端表面;
多個內部電極,所述多個內部電極在所述陶瓷主體中形成,并且所述多個內部電極的一個末端暴露于所述第三末端表面或所述第四末端表面;和
第一側邊緣部分和第二側邊緣部分,形成所述第一側邊緣部分和所述第二側邊緣部分使得從所述第一側表面和所述第二側表面到內部電極的邊緣的平均厚度為18μm或更小,
其中,當通過連接在內部電極的邊緣之間的距離的中點與從內部電極延伸的線接觸所述第一側表面或所述第二側表面的點得到的虛擬線,將所述第一側邊緣部分或所述第二側邊緣部分分成兩個區域時,當與內部電極相鄰的區域定義為S1并且S1的孔隙率定義為P1時,P1在1-20的范圍內。
2.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器,其中,所述第一側邊緣部分和所述第二側邊緣部分由陶瓷漿料形成。
3.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器,其中,所述內部電極包括第一內部電極和第二內部電極,所述第一內部電極具有一個末端暴露于所述第三末端表面,而形成另一個末端使得與所述第四末端表面具有預定的間隔,所述第二內部電極具有一個末端暴露于所述第四末端表面,而形成另一個末端使得與所述第三末端表面具有預定的間隔。
4.一種多層陶瓷電容器,所述電容器包括:
陶瓷主體,所述陶瓷主體具有彼此相反的第一側表面和第二側表面以及將所述第一側表面和所述第二側表面彼此連接的第三末端表面和第四末端表面;
多個內部電極,所述多個內部電極在所述陶瓷主體中形成,并且所述多個內部電極的一個末端暴露于所述第三末端表面或所述第四末端表面;和
第一側邊緣部分和第二側邊緣部分,形成所述第一側邊緣部分和所述第二側邊緣部分使得從所述第一側表面和所述第二側表面到內部電極的邊緣的平均厚度為18μm或更小,
其中,當通過連接在內部電極的邊緣之間的距離的中點與從內部電極延伸的線接觸所述第一側表面或所述第二側表面的點得到的虛擬線,將所述第一側邊緣部分或所述第二側邊緣部分分成兩個區域時,當與內部電極相鄰的區域定義為S1,與所述第一側表面或所述第二側表面相鄰的區域定義為S2,S1的孔隙率定義為P1,并且S2的孔隙率定義為P2時,P1/P2大于2。
5.根據權利要求4所述的多層陶瓷電容器,其中,所述第一側邊緣部分和所述第二側邊緣部分由陶瓷漿料形成。
6.根據權利要求4所述的多層陶瓷電容器,其中,所述內部電極包括第一內部電極和第二內部電極,所述第一內部電極具有一個末端暴露于所述第三末端表面,而形成另一個末端使得與所述第四末端表面具有預定的間隔,所述第二內部電極具有一個末端暴露于所述第四末端表面,而形成另一個末端使得與所述第三末端表面具有預定的間隔。
7.一種制造多層陶瓷電容器的方法,所述方法包括:
制備第一陶瓷生片和第二陶瓷生片,在所述第一陶瓷生片上形成的多個條形第一內部電極圖案使得所述多個條形第一內部電極圖案之間具有預定的間隔,在所述第二陶瓷生片上形成的多個條形第二內部電極圖案使得所述多個條形第二內部電極圖案之間具有預定的間隔;
通過堆疊所述第一陶瓷生片和所述第二陶瓷生片而形成陶瓷生片多層主體,使得所述條形第一內部電極圖案和所述條形第二內部電極圖案交替堆疊;
切割所述陶瓷生片多層主體,同時橫斷所述條形第一內部電極圖案和所述條形第二內部電極圖案,使得第一內部電極和第二內部電極具有預定的寬度,并且所述陶瓷生片多層主體具有側表面,所述第一內部電極和所述第二內部電極的邊緣沿寬度方向暴露于所述側表面;和
通過使用陶瓷漿料,在所述側表面上形成第一側邊緣部分和第二側邊緣部分,所述第一內部電極和所述第二內部電極的邊緣暴露于所述側表面,
其中,形成所述第一側邊緣部分和所述第二側邊緣部分,使得從第一側表面和第二側表面到內部電極的邊緣的平均厚度為18μm或更小,并且當通過連接在內部電極的邊緣之間的距離的中點與從內部電極延伸的線接觸所述第一側表面或所述第二側表面的點得到的虛擬線,將所述第一側邊緣部分或所述第二側邊緣部分分成兩個區域時,當與內部電極相鄰的區域定義為S1并且S1的孔隙率定義為P1時,P1在1-20的范圍內。
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