[發明專利]引線框架制造方法

有效

• 申請號: 201310279232.0
• 申請日: 2013-07-04
• 公開（公告）號: CN103346095B
• 公開（公告）日: 2016-11-30
• 發明（設計）人: 張衛紅;沈海軍;周鋒;吳賽花;吳曉敏
• 申請（專利權）人: 南通富士通微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48
• 代理公司: 北京志霖恒遠知識產權代理事務所(普通合伙) 11435
• 代理人: 孟阿妮

1.一種引線框架制造方法，其特征在于，包括：

形成引線框架本體，所述引線框架本體包括多個芯片承載基座和連接部，所述多個芯片承載基座之間通過連接部連接；

對所述連接部進行半刻蝕；

在所述連接部的半刻蝕區域形成塑封層。

2.根據權利要求1所述的引線框架制造方法，其特征在于，所述連接部和所述芯片承載基座一體成型。

3.根據權利要求1所述的引線框架制造方法，其特征在于，所述連接部為連接中筋。

4.根據權利要求1所述的引線框架制造方法，其特征在于，形成所述引線框架本體后，還包括，在所述引線框架本體表面形成金屬鍍層。

5.根據權利要求4所述的引線框架制造方法，其特征在于，形成所述金屬鍍層的材料為金、銀、鎳或錫。

6.根據權利要求1所述的引線框架制造方法，其特征在于，所述連接部的寬度為0.300mm-0.350mm。

7.根據權利要求6所述的引線框架制造方法，其特征在于，所述連接部的寬度為0.325mm。

8.根據權利要求1所述的引線框架制造方法，其特征在于，形成所述塑封層的材料為環氧樹脂。

9.根據權利要求8所述的引線框架制造方法，其特征在于，所述塑封層的厚度為半刻蝕前連接部厚度的二分之一。

10.根據權利要求1-9任一所述的引線框架制造方法，其特征在于，所述引線框架本體采用銅、鐵或鎳制成。