[發明專利]一種高溫硫化改性硅橡膠與陶瓷釉界面偶聯方法

有效

• 申請號: 201310278801.X
• 申請日: 2013-07-04
• 公開（公告）號: CN103366909A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 楊志峰;王根水;王士維;周志勇;劉少華;張海兵
• 申請（專利權）人: 江蘇南瓷絕緣子有限公司
• 主分類號: H01B19/00
• 分類號: H01B19/00
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 王云

技術領域

本發明涉及絕緣子制造工藝，主要發明一種瓷復合絕緣子橡膠與陶瓷界面偶聯工藝，具體為高溫硫化改性硅橡膠與陶瓷釉料的界面偶聯工藝。

背景技術

電氣化鐵路用棒式瓷復合絕緣子是采用添加改性基體的高溫硫化硅橡膠作外絕緣傘裙護套，采用精細工業氧化鋁高強度陶瓷作內絕緣芯棒，采用變振工藝用高強度硅酸鹽膠裝端部附件的一種新型混合絕緣子。針對這種新型混合絕緣子，宏觀界面的質量決定絕緣子的整體機電性能，即金屬附件與硅酸鹽膠合劑和陶瓷芯棒與硅酸鹽膠合劑的界面質量決定瓷復合絕緣子的機械性能，陶瓷芯棒與高溫硫化改性硅橡膠的界面質量決定瓷復合絕緣子的電氣性能。

棒式瓷復合絕緣子的生產制作和試驗檢測均未見報道，為生產制造質量優異的棒式瓷復合絕緣子必須保證上述宏觀界面的粘接質量。

發明內容

為了克服現有技術的缺陷，本發明的目的在于提供一種高溫硫化改性硅橡膠與陶瓷釉界面偶聯方法。

為了解決上述技術問題，本發明所采用的技術方案為：

一種高溫硫化改性硅橡膠與陶瓷釉界面偶聯方法，該方法包括如下步驟：

1）清理陶瓷芯棒半成品表面污染物；

2）將步驟1）清理干凈的陶瓷芯棒半成品放入溫度160℃±5℃的通風常壓烘箱中預烘12h以上，主要作用是蒸發兩端硅酸鹽膠合劑中的可氣化水分，確保在注射保壓偶聯過程膠裝端部無水氣析出；

3）取出預烘達到時間要求的半成品用質量分數95%以上的乙醇徹底擦洗半成品表面（這里的表面包括陶瓷釉表面和端部附件包膠表面）；擦洗干凈后放入溫度100℃±5℃的通風常壓烘箱中烘干1h以上，使半成品表面干凈干燥；

4）使用清潔的毛刷在半成品表面（這里的表面包括陶瓷釉表面和端部包膠附件表面）均勻刷涂經過特殊配置的偶聯劑，使刷涂表面均全部濕潤；刷涂完成后放入溫度65℃±5℃的通風常壓烘箱中預烘1h～2h，使偶聯劑活性增強，取出后即刻使用；

5）按步驟4）用偶聯劑處理后得到的半成品取出后放入橡膠注射模具中，采用金具附件外徑與合模后模腔內徑緊密切合的方式定位，通過螺桿勻速旋轉均勻擠出高溫硫化改性硅橡膠，使得高溫硫化改性硅橡膠充滿模腔空隙與陶瓷芯棒釉面充分接觸，期間通過四次合模力的簡諧波動，排除模腔熱空氣，使高溫硫化改性硅橡膠完全并密實的充滿模腔空隙。這樣就能使高溫硫化改性硅橡膠和陶瓷釉料兩者宏觀界面緊密契合。

與現有技術相比，本發明的有益效果是：采用本發明，能提高高溫硫化改性硅橡膠與陶瓷釉界面粘接質量，確保瓷復合絕緣子整體電氣性能優異，使二者界面粘接力大于硅橡膠機械撕裂強度7kN/m，產品整支在鹽水中水煮42?h后通過正負25次陡度不小于1500kV/μs的陡波沖擊。

具體實施方式

下面結合具體實施例對本發明作進一步的詳細說明。

實施例1：

1、陶瓷芯棒表面釉料制備：

陶瓷芯棒表面釉料的配方是發明名稱為“一種高強度電瓷灰釉配方及其制備方法”（申請號：201210309567.8?，申請日：2012-08-28）中實施例1中的白釉基料配方，即：白釉基料包括以下組分且各組分的重量份數為：鉀長石25份、石英27份、新會粉9份、水洗高嶺土5份、星子高嶺土6份、滑石8份、石灰石5份、左云土4份、硅酸鋯3份、氧化鋁8份。

制備時，首先按照上述白釉基料配方進行稱取各原料，然后加入白釉基料總重量30%的水攪拌得到漿料，將漿料球磨至細度達到325目篩余0.01%；然后再采用整體摻混法在漿料中加入乙烯基三甲氧基硅烷混合均勻，靜置30min后得到陶瓷釉料，其中乙烯基三甲氧基硅烷的添加量為漿料重量的0.3%。

2、高溫硫化改性硅橡膠制備

本發明所用的高溫硫化改性硅橡膠的配方如下：它包括如下基材和其他原料，其中基材包括110-1：110-2：110-3的重量比為1：3：2。110-1、110-2、110-3的分子量均在60萬以上。其中110-1、110-2、110-3是甲基乙烯基硅橡膠的三種規格。

其他原料包括：氣相法二氧化硅、氫氧化鋁微粉、γ-三氟丙基甲基聚硅氧烷、硅油、硅烷、色母膠、氧化鋅、三乙醇胺和雙二五硫化劑；其中，

氣相法二氧化硅的添加量為基材總重量的35%；所述氣相法二氧化硅采用的是美國卡博特公司進口的高比表面積氣相法二氧化硅mM-5型號，然后用六甲基二硅氮烷噴灑在上述氣相法二氧化硅上，攪拌均勻，這樣就能使氣相法二氧化硅表面上的大部分羥基轉變為三甲硅氧烷基。