[發明專利]有機發光顯示裝置在審
| 申請號: | 201310278334.0 | 申請日: | 2013-07-04 |
| 公開(公告)號: | CN103681752A | 公開(公告)日: | 2014-03-26 |
| 發明(設計)人: | 崔海潤;金在經;金敏佑;金一南 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 韓明星;常桂珍 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明涉及有機發光顯示裝置,尤其涉及有機發光層位于由像素定義層劃分而形成的開口部的有機發光顯示裝置。
背景技術
顯示裝置是用于顯示圖像的裝置,最近矚目于有機發光顯示裝置(organic?light?emitting?diode?display)。
現有的有機發光顯示裝置包括發出光而顯示圖像(image)的有機發光元件(organic?light?emitting?diode)。有機發光元件包括位于由像素定義層劃分而形成的開口部的有機發光層和中間隔著有機發光層而相互面對的第一電極和第二電極。
現有的有機發光顯示裝置中的有機發光層、第一電極和第二電極分別具有互不相同的折射率,據此有機發光層起到類似光纖維的作用,因而從有機發光層發出的光線中的一部分光線在第一電極和第二電極之間連續被反射,從而具有朝位于有機發光層的側面的像素定義層射出的問題。這導致了整個有機發光顯示裝置的發光效率的下降的問題。
發明內容
本發明的一實施例用于解決上述問題,其目的在于提供提高了發光效率的有機發光顯示裝置。
為了達到目的,根據本發明的一方面,提供一種有機發光顯示裝置,包括:基板;薄膜晶體管,位于所述基板之上;第一絕緣層,位于所述薄膜晶體管之上;第二絕緣層,位于所述第一絕緣層之上,具備露出所述第一絕緣層的第一開口部;第一電極,與所述薄膜晶體管連接,通過所述第一開口部位于所述第一絕緣層和所述第二絕緣層之上;像素定義層,位于所述第一電極上,具備對應于所述第一開口部而露出所述第一電極,且相比所述第一開口部更小的第二開口部;有機發光層,對應于所述第二開口部位于所述第一電極上;第二電極,對應于所述第二開口部位于所述有機發光層上。
所述像素定義層可包括形成所述第二開口部的多個傾斜面。
所述有機發光層和所述第二電極中的一個以上僅位于所述多個傾斜面中的一部分傾斜面上。
所述第二開口部的截面具有四邊形結構,所述像素定義層還可以包括形成所述第二開口部的、相互面對的第一傾斜面和第二傾斜面以及相互面對的第三傾斜面和第四傾斜面。
所述第三傾斜面可連接所述第一傾斜面和所述第二傾斜面的各自的一端部之間,所述第四傾斜面可連接所述第一傾斜面和所述第二傾斜面的各自的另一端部之間。
所述第一傾斜面和所述第二傾斜面相比所述第三傾斜面和所述第四傾斜面可具有平面上更長的長度。
所述有機發光層和所述第二電極各自可僅位于所述第一傾斜面、所述第二傾斜面、所述第三傾斜面以及所述第四傾斜面中的所述第三傾斜面和所述第四傾斜面上。
所述第二電極可僅位于所述第一傾斜面、所述第二傾斜面、所述第三傾斜面以及所述第四傾斜面中的所述第三傾斜面和所述第四傾斜面上。
所述有機發光層可位于所述第一傾斜面、所述第二傾斜面、所述第三傾斜面以及所述第四傾斜面上。
所述有機發光層可僅位于所述第一傾斜面、所述第二傾斜面、所述第三傾斜面以及所述第四傾斜面中的所述第三傾斜面和所述第四傾斜面上。
所述第二電極可位于所述第一傾斜面、所述第二傾斜面、所述第三傾斜面以及所述第四傾斜面上。
所述第一電極可以為光反射型電極,所述第二電極可以為透光型電極。
所述有機發光層可具有與所述第一電極、所述像素定義層、所述第二電極各不相同的折射率。
根據上述的本發明技術方案中的部分實施例中的一部分,可提供發光效率得到提高的有機發光顯示裝置。
附圖說明
圖1為示出根據本發明第一實施例的有機發光顯示裝置的剖視圖。
圖2為示出根據本發明第一實施例的有機發光顯示裝置的像素的結構的布置圖。
圖3為沿圖2的Ⅲ-Ⅲ的剖視圖。
圖4為沿圖2的Ⅳ-Ⅳ的剖視圖。
圖5為分別示出本發明的第一實驗例、第一比較例以及第二比較例的圖表。
圖6為示出根據本發明第二實施例的有機發光顯示裝置的像素的結構的布置圖。
圖7為沿圖6的Ⅶ-Ⅶ的剖視圖。
圖8為沿圖6的Ⅷ-Ⅷ的剖視圖。
圖9為分別示出本發明的第一實驗例、第二實驗例以及第一比較例的圖表。
圖10為示出根據本發明第三實施例的有機發光顯示裝置的像素的結構的布置圖。
圖11為沿圖10的ⅩⅠ-ⅩⅠ的剖視圖。
圖12為沿圖10的ⅩⅡ-ⅩⅡ的剖視圖。
主要符號說明
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





