[發明專利]一種銅合金屏蔽電纜

無效

• 申請號: 201310277982.4
• 申請日: 2013-07-03
• 公開（公告）號: CN103426508A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發明（設計）人: 許義彬
• 申請（專利權）人: 晶鋒集團股份有限公司
• 主分類號: H01B7/00
• 分類號: H01B7/00;H01B7/17
• 代理公司: 合肥市長遠專利代理事務所(普通合伙) 34119
• 代理人: 劉勇

技術領域

本發明涉及電線電纜技術領域，尤其涉及一種銅合金屏蔽電纜。?

背景技術

現有技術中，電纜的導體一般為金屬線材，或者由金屬絲絞合而成的線束。電纜導體由多根導線絞合而成，它與絕緣層之間易形成氣隙，再加上導體表面不光滑，會造成電場集中，因此會影響電纜信號的傳輸。現有技術中有很多中屏蔽手段，基本上是在導體的外周包覆一層鍍銀或者錫的纖維屏蔽網，其屏蔽效果有限。因此，如何提高電纜的屏蔽性能是本領域技術人員急需解決的問題。?

發明內容

為了解決上述存在的諸多問題，本發明旨在提供一種銅合金屏蔽電纜，該銅合金屏蔽電纜具有優良的屏蔽性能。?

本發明提供一種銅合金屏蔽電纜，包括導體，所述導體為銅合金線材，所述銅合金的成分按質量百分比為，Al0.3-0.6%，Re0.01-0.02%，Cr0.2-0.6%，其余為Cu以及不可避免的雜質，所述銅合金線材表面要經過去氧化以及拋光處理；所述導體的表面覆蓋一層納米Bi2Te3薄膜，且所述納米Bi2Te3薄膜的厚度為0.1-0.4mm，所述納米Bi2Te3薄膜的表面包覆一層聚丙烯腈屏蔽層，所述聚丙烯腈屏蔽層的外面包覆一層聚乙烯絕緣層；所述聚乙烯絕緣層的外面包覆一層聚全氟乙烯絕緣層，所述聚乙烯絕緣層與聚全氟乙烯絕緣層之間填充一層石墨層，所述聚全氟乙烯絕緣層的外面擠包一層硅橡膠防護層。?

進一步地，所述導體成分優選為Al0.3-0.5%，Re0.01-0.02%，Cr0.2-0.5%。?

進一步地，所述納米Bi2Te3薄膜的厚度優選為0.25mm。?

進一步地，所述石墨層的厚度為0.2-0.8mm。?

本發明提供一種銅合金屏蔽電纜，包括導體，所述導體為銅合金線材，所述銅合金的成分按質量百分比為，Al0.3-0.6%，Re0.01-0.02%，Cr0.2-0.6%，其余為Cu以及不可避免的雜質，所述銅合金線材表面要經過去氧化以及拋光處理；所述導體的表面覆蓋一層納米Bi2Te3薄膜，且所述納米Bi2Te3薄膜的厚度為0.1-0.4mm，所述納米Bi2Te3薄膜的表面包覆一層聚丙烯腈屏蔽層，所述聚丙烯腈屏蔽層的外面包覆一層聚乙烯絕緣層；所述聚乙烯絕緣層的外面包覆一層聚全氟乙烯絕緣層，所述聚乙烯絕緣層與聚全氟乙烯絕緣層之間填充一層石墨層，所述聚全氟乙烯絕緣層的外面擠包一層硅橡膠防護層。?

基于上述技術方案的公開，首先，銅合金導體表面經過去氧化拋光處理，減小了導體表面的氣隙；另外，納米Bi2Te3薄膜以及聚丙烯腈屏蔽層的添加，使得各層之間的接觸更加的緊密，屏蔽性能大幅度提高；另外，石墨層的設置進一步提升了電纜的屏蔽性能。?

附圖說明

圖1為本發明中一種銅合金屏蔽電纜的截面結構示意圖。?

具體實施方式

實施例一?

如圖1所示，本發明實施例一提供一種銅合金屏蔽電纜，包括導體1，所述導體1為銅合金線材，所述銅合金的成分按質量百分比為，Al0.6%，Re0.02%，Cr0.6%，其余為Cu以及不可避免的雜質，所述銅合金線材表面要經過去氧化以及拋光處理；所述導體1的表面覆蓋一層納米Bi2Te3薄膜2，且所述納米Bi2Te3薄膜2的厚度為0.4mm，所述納米Bi2Te3薄膜2的表面包覆一層聚丙烯腈屏蔽層3，所述聚丙烯腈屏蔽層3的外面包覆一層聚乙烯絕緣層4；所述聚乙烯絕緣?層4的外面包覆一層聚全氟乙烯絕緣層5，所述聚乙烯絕緣層4與聚全氟乙烯絕緣層5之間填充一層石墨層6，所述石墨層6的厚度為0.8mm，所述聚全氟乙烯絕緣層5的外面擠包一層硅橡膠防護層7。?

實施例二?

如圖1所示，本發明實施例二提供一種銅合金屏蔽電纜，包括導體1，所述導體1為銅合金線材，所述銅合金的成分按質量百分比為，Al0.3%，Re0.01%，Cr0.2%，其余為Cu以及不可避免的雜質，所述銅合金線材表面要經過去氧化以及拋光處理；所述導體1的表面覆蓋一層納米Bi2Te3薄膜2，且所述納米Bi2Te3薄膜2的厚度為0.1mm，所述納米Bi2Te3薄膜2的表面包覆一層聚丙烯腈屏蔽層3，所述聚丙烯腈屏蔽層3的外面包覆一層聚乙烯絕緣層4；所述聚乙烯絕緣層4的外面包覆一層聚全氟乙烯絕緣層5，所述聚乙烯絕緣層4與聚全氟乙烯絕緣層5之間填充一層石墨層6，所述石墨層6的厚度為0.2mm，所述聚全氟乙烯絕緣層5的外面擠包一層硅橡膠防護層7。?