[發(fā)明專利]基于環(huán)形腔衰落的環(huán)形芯光纖傳感器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310277333.4
• 申請日: 2013-07-03
• 公開（公告）號: CN103364370A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發(fā)明（設計）人: 關春穎;鐘幸;李樹強;劉志海;苑立波
• 申請（專利權(quán)）人: 哈爾濱工程大學
• 主分類號: G01N21/41
• 分類號: G01N21/41
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種基于環(huán)形腔衰落的環(huán)形芯光纖傳感器，其特征是：一段具有大直徑環(huán)形芯光纖的兩端分別與兩個具有高分光比的1×2光纖耦合器分光比高的一端相連，兩個1×2光纖耦合器具有1個端口的一側(cè)彼此互聯(lián)，進而形成環(huán)形腔，脈沖光源和探測器分別與兩個1×2光纖耦合器的分光比低的一端相連。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于環(huán)形腔衰落的環(huán)形芯光纖傳感器，其特征是：所述的具有大直徑環(huán)形芯的光纖是光纖直徑為125微米，光纖纖芯形狀為環(huán)形，纖芯壁厚為4-8微米，環(huán)形芯的外徑為80-125微米的光纖，其纖芯折射率n_core大于包層折射率n_clad。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于環(huán)形腔衰落的環(huán)形芯光纖傳感器，其特征是：所述的具有大直徑環(huán)形芯光纖用于傳感部分的長度為2-5厘米。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于環(huán)形腔衰落的環(huán)形芯光纖傳感器，其特征是：所述的具有大直徑環(huán)形芯光纖用于傳感部分的環(huán)形纖芯波導距離外界空氣距離小于1微米。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于環(huán)形腔衰落的環(huán)形芯光纖傳感器，其特征是：所述的具有大直徑環(huán)形芯光纖是外徑為80-123微米的光纖，通過化學刻蝕的方法來減薄光纖的包層，使纖芯裸露于外界。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于環(huán)形腔衰落的環(huán)形芯光纖傳感器，其特征是：所述的高分光比1×2光纖耦合器的分光比高于99：1。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于環(huán)形腔衰落的環(huán)形芯光纖傳感器，其特征是：具有大直徑環(huán)形芯光纖與光纖耦合器的連接是通過將具有大直徑環(huán)形芯光纖的兩端與高分光比1×2光纖耦合器軸心對準直接焊接，然后在焊點處進行熔融拉錐來實現(xiàn)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于環(huán)形腔衰落的環(huán)形芯光纖傳感器，其特征是：具有大直徑環(huán)形芯光纖與光纖耦合器的連接是通過將具有大直徑環(huán)形芯光纖的入射端環(huán)形波導處某一點與一個高分光比1×2光纖耦合器光纖纖芯對準焊接，而具有大直徑環(huán)形芯光纖出射端則與另一個高分光比1×2光纖耦合器光纖軸心對準直接焊接，然后在焊點處進行熔融拉錐來實現(xiàn)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于環(huán)形腔衰落的環(huán)形芯光纖傳感器，其特征是：所述的具有大直徑環(huán)形芯光纖傳感部分增鍍一層敏感膜。