[發(fā)明專利]互連結(jié)構(gòu)及其形成方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310277268.5
• 申請日: 2013-07-03
• 公開（公告）號: CN104051422A
• 公開（公告）日: 2014-09-17
• 發(fā)明（設計）人: 蔡紓婷;林政賢;莊俊杰;楊敦年;劉人誠;洪豐基
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/538
• 分類號: H01L23/538;H01L21/768
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種裝置，包括：

第一半導體芯片，包括第一襯底和形成在所述第一襯底上方的多個第一互連部件；

第二半導體芯片，接合在所述第一半導體芯片上，其中，所述第二半導體芯片包括第二襯底和形成在所述第二襯底上方的多個第二互連部件；

第一導電插塞，連接至所述第一互連部件，所述第一導電插塞包括：

第一部分，形成在所述第一互連部件與所述第一襯底的正面之間，所述第一部分具有第一寬度；和

第二部分，形成在所述第一襯底的正面與所述第一襯底的背面之間，所述第二部分具有大于或等于所述第一寬度的第二寬度；以及

第二導電插塞，連接至所述第二互連部件，所述第二導電插塞包括：

第三部分，形成在所述第二互連部件與所述第一襯底的正面之間，所述第三部分具有第三寬度；和

第四部分，形成在所述第一襯底的正面和所述第一襯底的背面之間，所述第四部分具有大于或等于所述第三寬度的第四寬度。

2.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中：

所述第一互連部件是形成在所述第一襯底上方的金屬間介電層中的第一金屬線。

3.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中：

所述第一互連部件是形成在所述第一襯底上方的第一重分布線。

4.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中：

所述第一互連部件是形成在所述第一襯底上方的第一接觸件。

5.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中：

所述第一導電插塞通過形成在所述第一襯底的背面上方的金屬線來連接至所述第二導電插塞。

6.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中：

所述第一導電插塞通過形成在所述第一襯底中的連接結(jié)構(gòu)來連接至所述第二導電插塞。

7.根據(jù)權利要求6述的裝置，其中：

所述第一導電插塞由銅形成；

所述第二導電插塞由銅形成；以及

所述連接結(jié)構(gòu)由銅形成。

8.一種器件，包括：

第一芯片，包括：

第一襯底；和

多個第一互連部件，形成在第一金屬間介電層中和所述第一襯底上方；

第二芯片，接合在所述第一芯片上，所述第二芯片包括：

第二襯底；和

多個第二互連部件，形成在第二金屬間介電層中和所述第二襯底上方；

第一導電插塞，穿過所述第一襯底并部分地穿過所述第一金屬間介電層而形成，所述第一導電插塞連接至所述第一互連部件；以及

第二導電插塞，穿過所述第一襯底和所述第一金屬間介電層并部分地穿過所述第二金屬間介電層而形成，所述第二導電插塞連接至所述第二互連部件。

9.根據(jù)權利要求8所述的器件，其中，所述第一導電插塞包括：

第一部分，形成在所述第一互連部件和所述第一襯底的正面之間，所述第一部分具有第一寬度；以及

第二部分，形成在所述第一襯底的正面和所述第一襯底的背面之間，所述第二部分具有大于或等于所述第一寬度的第二寬度。

10.一種方法，包括：

將第一半導體晶圓接合在第二半導體晶圓上，其中：

所述第一半導體晶圓包括：第一襯底、第一金屬間介電層和第一互連結(jié)構(gòu)，所述第一互連結(jié)構(gòu)形成在所述第一金屬間介電層中和所述第一襯底上方；以及

所述第二半導體晶圓包括：第二襯底、第二金屬間介電層和第二互連結(jié)構(gòu)，所述第二互連結(jié)構(gòu)形成在所述第二金屬間介電層中和所述第二襯底上方；

圖案化所述第一襯底以在所述第一襯底中形成第一開口和第二開口；

采用蝕刻工藝并將所述第一互連結(jié)構(gòu)用作硬掩模層來形成第三開口和第四開口，其中：

所述第三開口是所述第一開口的延伸并部分地穿過所述第一金屬間介電層而形成；并且

所述第四開口是所述第二開口的延伸并穿過所述第一金屬間介電層和部分地穿過所述第二金屬間介電層而形成；以及

在所述第一開口、所述第二開口、所述第三開口和所述第四開口中鍍導電材料，以形成第一導電插塞和第二導電插塞。