[發(fā)明專利]燒結(jié)體及非晶膜

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310276943.2
• 申請(qǐng)日: 2013-07-03
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103524119A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-01-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 奈良淳史
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 吉坤日礦日石金屬株式會(huì)社
• 主分類號(hào): C04B35/01
• 分類號(hào): C04B35/01;C23C14/34;C23C14/08
• 代理公司: 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 王海川;穆德駿

1.一種燒結(jié)體，其特征在于，由鋅(Zn)、三價(jià)金屬元素、鍺(Ge)和/或硅(Si)、氧(O)構(gòu)成，設(shè)三價(jià)金屬元素的總含量以氧化物換算為A摩爾%、Ge和/或Si的總含量以GeO₂和/或SiO₂換算為B摩爾%時(shí)，15≤A+B≤70。

2.如權(quán)利要求1所述的燒結(jié)體，其特征在于，所述Ge和/或Si的總含量為5≤B≤30。

3.如權(quán)利要求1或2所述的燒結(jié)體，其特征在于，所述三價(jià)金屬元素的總含量以三價(jià)金屬元素/(Zn+三價(jià)金屬元素)的原子數(shù)比計(jì)為0.1以上。

4.如權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的燒結(jié)體，其特征在于，所述三價(jià)金屬元素為選自由鋁(Al)、鎵(Ga)、硼(B)、釔(Y)和銦(In)組成的組中的一種以上元素。

5.一種燒結(jié)體，其特征在于，由鋅(Zn)、鎵(Ga)、鍺(Ge)的氧化物構(gòu)成，設(shè)Ga的含量以Ga₂O₃換算為A摩爾%、Ge的含量以GeO₂換算為B摩爾%且余量為ZnO時(shí)，滿足15≤A+B≤50且A≥3B/2的條件。

6.如權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的燒結(jié)體，其特征在于，還含有以氧化物重量換算為0.1～5重量%的、形成熔點(diǎn)為1000℃以下的氧化物的金屬。

7.如權(quán)利要求6所述的燒結(jié)體，其特征在于，所述熔點(diǎn)為1000℃以下的氧化物為選自由B₂O₃、P₂O₅、K₂O、V₂O₅、Sb₂O₃、TeO₂、Ti₂O₃、PbO、Bi₂O₃、MoO₃組成的組中的一種以上氧化物。

8.如權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的燒結(jié)體，其特征在于，相對(duì)密度為90%以上。

9.如權(quán)利要求1～8中任一項(xiàng)所述的燒結(jié)體，其特征在于，體電阻值為10Ω·cm以下。

10.一種濺射靶，其特征在于，使用權(quán)利要求1～9中任一項(xiàng)所述的燒結(jié)體。

11.一種離子鍍材料，其特征在于，使用權(quán)利要求5所述的燒結(jié)體。

12.一種薄膜，其特征在于，由鋅(Zn)、三價(jià)金屬元素、鍺(Ge)和/或硅(Si)、氧(O)構(gòu)成，設(shè)三價(jià)金屬元素的總含量以氧化物換算為A摩爾%、Ge和/或Si的總含量以GeO₂和/或SiO₂換算為B摩爾%時(shí)，15≤A+B≤70，并且為非晶膜。

13.一種薄膜，其特征在于，由鋅(Zn)、鎵(Ga)、鍺(Ge)的氧化物構(gòu)成，設(shè)Ga的含量以Ga₂O₃換算為A摩爾%、Ge的含量以GeO₂換算為B摩爾%且余量為ZnO時(shí)，滿足15≤A+B≤50且A≥3B/2的條件，并且為非晶膜。

14.如權(quán)利要求12或13所述的薄膜，其特征在于，還含有以氧化物重量換算為0.1～5重量%的、形成選自由B₂O₃、P₂O₅、K₂O、V₂O₅、Sb₂O₃、TeO₂、Ti₂O₃、PbO、Bi₂O₃、MoO₃組成的組中的一種以上氧化物的金屬。

15.如權(quán)利要求12～14中任一項(xiàng)所述的薄膜，其特征在于，波長(zhǎng)450nm下的消光系數(shù)為0.01以下。

16.如權(quán)利要求12～15中任一項(xiàng)所述的薄膜，其特征在于，波長(zhǎng)550nm下的折射率為2.00以下。