[發明專利]氧化物半導體薄膜及一種薄膜晶體管有效
| 申請號： | 201310276865.6 | 申請日： | 2013-07-04 |
| 公開（公告）號： | CN103325842B | 公開（公告）日： | 2015-11-18 |
| 發明（設計）人： | 蘭林鋒;彭俊彪;林振國 | 申請（專利權）人： | 華南理工大學 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 湯東鳳 |
| 地址： | 510640 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氧化物 半導體 薄膜 一種 薄膜晶體管 | ||
【權利要求書】：
1.一種氧化物半導體薄膜，其特征在于：用于作為薄膜晶體管的溝道層材料，其成分為M2xIn2-2xO3-δ且成分中不包括Zn和Sn，其中M為元素周期表中的Sc元素，0.001≤x≤0.3，0≤δ＜3，氧化物半導體薄膜的載流子濃度小于5×1019cm-3。
2.根據權利要求1所述的氧化物半導體薄膜，其特征在于：薄膜的厚度為5nm至200nm。
3.根據權利要求1所述的氧化物半導體薄膜，其特征在于：采用多靶共濺射的方法制備。
4.根據權利要求1所述的氧化物半導體薄膜，其特征在于：采用單靶濺射的方法制備。
5.一種薄膜晶體管，設置有柵極、溝道層、位于柵極和溝道層之間的絕緣層、分別電性連接在溝道層兩端的源極和漏極，其特征在于：所述溝道層設置為如權利要求1至4中任意一項所述的氧化物半導體薄膜。
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