[發明專利]解析存儲器操作類型錯誤的方法及其裝置

有效

• 申請號: 201310276091.7
• 申請日: 2013-07-03
• 公開（公告）號: CN103345942A
• 公開（公告）日: 2013-10-09
• 發明（設計）人: 柯遙;魏文;蔡恩靜;李強
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G11C29/08
• 分類號: G11C29/08
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;林彥之

1.一種解析存儲器操作類型錯誤的方法，其特征在于，包括：

建立不同錯誤類型的操作錯誤與對應操作電壓的對應關系；

在不同的操作電壓下對存儲器進行操作，獲得對所述存儲器進行操作時對應的多個操作錯誤；

根據對所述存儲器進行操作時對應的多個操作錯誤，辨析不同操作錯誤的錯誤類型。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述操作錯誤的不同錯誤類型包括：寫操作錯誤、讀操作錯誤和干擾操作錯誤。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在不同錯誤操作對應電壓下對存儲器進行操作，獲得對所述存儲器進行操作時對應的多個操作錯誤包括：

清空存儲器的存儲數據，在正常操作電壓下、錯誤操作電壓下對存儲器進行不同操作，獲得不同的操作記錄；

對不同的操作記錄進行解析，從而解析出不同操作錯誤的錯誤類型。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，清空存儲器的存儲數據，在正常操作電壓下、錯誤操作電壓下對存儲器進行不同操作，獲得不同的操作記錄包括：

清除存儲器內的數據，并在錯誤操作電壓下對存儲器進行寫操作、在正常操作電壓下對存儲器進行讀操作，從而獲得第一操作記錄；

清除存儲器內的數據，并在正常操作電壓下對存儲器進行寫操作、在錯誤操作電壓下對存儲器進行寫操作，從而獲得第二操作記錄；

清除存儲器內的數據，并在正常操作電壓下對存儲進行度操作，從而獲得第三操作記錄。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，對不同的操作記錄進行解析，從而解析出不同操作錯誤的錯誤類型，包括：

對所述第一操作記錄進行解析，獲得寫操作錯誤；

對所述第二操作記錄進行解析，獲得干擾操作錯誤；

對所述第三操作記錄進行解析，獲得復合操作錯誤，所述復合操作錯誤為讀操作錯誤和干擾錯誤的復合體；

根據從所述第二操作記錄中獲得的干擾操作錯誤、第三操作記錄中獲得的復合操作錯誤，獲得讀操作錯誤。

6.根據權利要求1-5任意所述的方法，其特征在于，還包括：根據對所述存儲器進行操作時對應的多個操作錯誤，獲得不同操作錯誤的操作電壓和發生操作錯誤的地址。

7.一種解析存儲器操作類型錯誤的裝置，其特征在于，包括：

錯誤類型定義單元，用于建立不同錯誤類型的操作錯誤與對應操作電壓的對應關系；

操作錯誤收集單元，用于在不同的操作電壓下對存儲器進行操作，獲得對所述存儲器進行操作時對應的多個操作錯誤；

錯誤類型解析單元，用于根據對所述存儲器進行操作時對應的多個操作錯誤，解析不同操作錯誤的錯誤類型。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，操作錯誤收集單元包括：

操作記錄獲取單元，用于清空存儲器的存儲數據，在正常操作電壓下、錯誤操作電壓下對存儲器進行不同操作，獲得不同的操作記錄；

操作錯誤解析單元，用于對不同的操作記錄進行解析，從而解析出對應的多個操作錯誤。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，操作記錄單元包括：

第一操作記錄單元，用于清除存儲器內的數據，并在錯誤操作電壓下對存儲器進行寫操作、在正常操作電壓下對存儲器進行讀操作，從而獲得第一操作記錄；

第二操作記錄單元，用于清除存儲器內的數據，并在正常操作電壓下對存儲器進行寫操作、在錯誤操作電壓下對存儲器進行寫操作，從而獲得第二操作記錄；

第三操作記錄單元，用于清除存儲器內的數據，并在正常操作電壓下對存儲進行度操作，從而獲得第三操作記錄。

10.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，操作錯誤解析單元包括：

第一操作錯誤解析單元，用于對所述第一操作記錄進行解析，獲得寫操作錯誤；

第二操作錯誤解析單元，用于對所述第二操作記錄進行解析，獲得干擾操作錯誤；

第三操作錯誤解析單元，用于對所述第三操作記錄進行解析，獲得復合操作錯誤，所述復合操作錯誤為讀操作錯誤和干擾錯誤的復合體；

第四操作錯誤解析單元，用于根據從所述第二操作記錄中獲得的干擾操作錯誤、第三操作記錄中獲得的復合操作錯誤，獲得讀操作錯誤。