[發(fā)明專利]雙模折反射式共探測(cè)器成像系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310275716.8 | 申請(qǐng)日: | 2013-07-02 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103345051A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-10-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 付強(qiáng);張新;史廣維;王靈杰;張建萍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所 |
| 主分類號(hào): | G02B17/08 | 分類號(hào): | G02B17/08 |
| 代理公司: | 長(zhǎng)春菁華專利商標(biāo)代理事務(wù)所 22210 | 代理人: | 張偉 |
| 地址: | 130000 吉*** | 國(guó)省代碼: | 吉林;22 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 雙模 反射 探測(cè)器 成像 系統(tǒng) | ||
1.雙模折反射式共探測(cè)器成像系統(tǒng),其特征在于,該系統(tǒng)包括:主鏡、次鏡、中繼鏡組和焦平面探測(cè)器;所有部件皆為同光軸放置;其中,主鏡和次鏡為卡塞格林結(jié)構(gòu);主鏡有中心孔,次鏡放置在主鏡的前方,中繼鏡組和焦平面探測(cè)器放置在次鏡后方;來(lái)自物方的光束經(jīng)主鏡反射后入射到次鏡上,由次鏡反射聚焦,使得目標(biāo)成像在第一像面上;再由中繼鏡組將第一像面上的目標(biāo)轉(zhuǎn)像,通過(guò)焦平面探測(cè)器聚焦;次鏡前表面反射中波紅外,透射長(zhǎng)波紅外;后表面反射長(zhǎng)波紅外;長(zhǎng)波紅外再次通過(guò)前表面回到光路中。
2.如權(quán)利要求1所述的雙模折反射式共探測(cè)器成像系統(tǒng),其特征在于,所述成像系統(tǒng)光譜透過(guò)范圍為3.7μm~4.8μm和8μm~10μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙模折反射式共探測(cè)器成像系統(tǒng),其特征在于所述主鏡的反射面為凹非球面,次鏡的兩個(gè)表面均為凸非球面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙模折反射式共探測(cè)器成像系統(tǒng),其特征在于所述次鏡為曼金鏡,次鏡的厚度范圍為0.5mm~1.5mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙模折反射式共探測(cè)器成像系統(tǒng),其特征在于所述次鏡的材料為鍺。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙模折反射式共探測(cè)器成像系統(tǒng),其特征在于所述次鏡的前后表面皆鍍膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙模折反射式共探測(cè)器成像系統(tǒng),其特征在于所述中繼鏡組由沿同一光軸順序放置的第一折射透鏡、第二折射透鏡、第三折射透鏡和第四折射透鏡組成。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的雙模折反射式共探測(cè)器成像系統(tǒng),其特征在于所述第一折射透鏡基于Ge晶體材料,其前表面為球面,后表面為非球面;第二折射透鏡基于ZNS晶體材料,其前表面和后表面均為球面;第三折射透鏡基于BaF2晶體材料,其前表面和后表面均為球面;第四折射透鏡基于ZnSe晶體材料,其前表面為非球面,后表面為球面。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙模折反射式共探測(cè)器成像系統(tǒng),其特征在于所述焦平面探測(cè)器包含窗口、冷闌和焦平面陣列,三部分從前之后依次放置;窗口基于紅外透過(guò)材料,焦平面陣列為雙波段焦平面陣列或?qū)挷ǘ谓蛊矫骊嚵小?/p>
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的雙模折反射式共探測(cè)器成像系統(tǒng),其特征在于所述窗口的材料為鍺。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所,未經(jīng)中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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