[發明專利]一種像素結構、陣列基板及顯示裝置有效
| 申請號： | 201310274803.1 | 申請日： | 2013-07-02 |
| 公開（公告）號： | CN103336393A | 公開（公告）日： | 2013-10-02 |
| 發明（設計）人： | 王學路 | 申請（專利權）人： | 京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司 |
| 主分類號： | G02F1/1343 | 分類號： | G02F1/1343 |
| 代理公司： | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人： | 柴亮;張天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 像素 結構 陣列 顯示裝置 | ||
1.一種像素結構，包括狹縫電極和板狀電極，其特征在于，
所述狹縫電極包括至少兩層結構，每層結構包括多個條狀的電極部以及位于相鄰的電極部之間的多個狹縫，上層結構的電極部設于下層結構的狹縫上方，且所有各層的電極部在基底上的投影均不重合；
所述板狀電極設于狹縫電極下方，且與狹縫電極間通過絕緣層隔開。
2.根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述狹縫電極的每層結構的所有電極部電連接；
所述狹縫電極的各層結構之間電連接。
3.根據權利要求2所述的像素結構，其特征在于，所述狹縫電極的每層結構的所有電極部通過連接條電連接；
所述狹縫電極的各層結構的連接條或電極部通過貫穿狹縫電極各層結構間的絕緣層的過孔或外圍引線電連接。
4.根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述狹縫電極任意一層結構中的狹縫的寬度均在3～6um之間。
5.根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述狹縫電極任意一層結構中的電極部寬度均在2～3um之間。
6.根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述狹縫電極包括兩層結構。
7.根據權利要求1～6中任意一項所述的像素結構，其特征在于，
所述狹縫電極為像素電極，所述板狀電極為公共電極，
或
所述狹縫電極為公共電極，所述板狀電極為像素電極。
8.根據權利要求1～6中任意一項所述的像素結構，其特征在于，所述狹縫電極材料為氧化銦錫，所述板狀電極材料為氧化銦錫。
9.一種TFT-LCD陣列基板，其特征在于，包括權利要求1～8中任意一項所述的像素結構。
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求8所述的陣列基板。
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