[發(fā)明專利]導(dǎo)電薄膜及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310274742.9 | 申請(qǐng)日： | 2007-12-21 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN103366895A | 公開(kāi)（公告）日： | 2013-10-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 德永司 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 富士膠片株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | H01B13/00 | 分類號(hào)： | H01B13/00;H01B5/14;G03C1/00;H05K9/00 |
| 代理公司： | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人： | 祁麗;于輝 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 導(dǎo)電 薄膜 及其 制備 方法 | ||
1.導(dǎo)電薄膜的制備方法，包括步驟：
在載體上形成含有導(dǎo)電材料和水溶性粘合劑的導(dǎo)電金屬部分；和
將其上形成有導(dǎo)電金屬部分的載體進(jìn)行濕熱處理以使所述載體靜置于保持在溫度是40℃或更高且相對(duì)濕度是5%或更大的調(diào)濕條件下的環(huán)境中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的導(dǎo)電薄膜的制備方法，其中調(diào)濕條件下的溫度是60℃或更高。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的導(dǎo)電薄膜的制備方法，其中調(diào)濕條件下的溫度是80℃或更高。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)的導(dǎo)電薄膜的制備方法，其中調(diào)濕條件下的相對(duì)濕度是60%或更大。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)的導(dǎo)電薄膜的制備方法，其中調(diào)濕條件下的相對(duì)濕度是80%或更大。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)的導(dǎo)電薄膜的制備方法，其中濕熱處理步驟的處理時(shí)間是60分鐘或更短。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)的導(dǎo)電薄膜的制備方法，其中濕熱處理步驟的處理時(shí)間是30分鐘或更短。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)的導(dǎo)電薄膜的制備方法，其中濕熱處理步驟的處理時(shí)間是10分鐘或更短。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)的導(dǎo)電薄膜的制備方法，在濕熱處理步驟之前，包括將導(dǎo)電金屬部分進(jìn)行平滑處理的平滑處理步驟。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的導(dǎo)電薄膜的制備方法，其中所述平滑處理是在1,960N/cm(200kgf/cm)或更大的線性壓力下進(jìn)行的。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10的導(dǎo)電薄膜的制備方法，其中所述平滑處理是在2,940N/cm(300kgf/cm)或更大的線性壓力下進(jìn)行的。
12.根據(jù)權(quán)利要求9-11任一項(xiàng)的導(dǎo)電薄膜的制備方法，其中所述平滑處理是在6,860N/cm(700kgf/cm)或更小的線性壓力下進(jìn)行的。
13.根據(jù)權(quán)利要求1-12任一項(xiàng)的導(dǎo)電薄膜的制備方法，其中所述導(dǎo)電材料由導(dǎo)電金屬細(xì)粒制成。
14.根據(jù)權(quán)利要求1-13任一項(xiàng)的導(dǎo)電薄膜的制備方法，其中所述載體是透明柔性載體，并且所述導(dǎo)電金屬部分是格狀圖案。
15.導(dǎo)電薄膜的制備方法，包括步驟：
將載體上具有含感光銀鹽和水溶性粘合劑的感光層的感光材料曝光，和然后將所得物顯影，由此在載體上形成導(dǎo)電金屬銀部分；和
將其上形成有導(dǎo)電金屬銀部分的載體經(jīng)過(guò)濕熱處理以使所述載體能夠靜置于保持在溫度是40℃或更高且相對(duì)濕度是5%或更大的調(diào)濕條件下的環(huán)境中。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的導(dǎo)電薄膜的制備方法，其中調(diào)濕條件下的溫度是60℃或更高。
17.根據(jù)權(quán)利要求15或16的導(dǎo)電薄膜的制備方法，其中調(diào)濕條件下的溫度是80℃或更高。
18.根據(jù)權(quán)利要求15-17任一項(xiàng)的導(dǎo)電薄膜的制備方法，其中調(diào)濕條件下的相對(duì)濕度是60%或更高。
19.根據(jù)權(quán)利要求15-18任一項(xiàng)的導(dǎo)電薄膜的制備方法，其中調(diào)濕條件下的相對(duì)濕度是80%或更高。
20.根據(jù)權(quán)利要求15-19任一項(xiàng)的導(dǎo)電薄膜的制備方法，其中所述粘合劑是水溶性聚合物。
21.根據(jù)權(quán)利要求15-20任一項(xiàng)的導(dǎo)電薄膜的制備方法，其中在載體上的任意層中都不含膜固化劑。
22.根據(jù)權(quán)利要求15-21任一項(xiàng)的導(dǎo)電薄膜的制備方法，在濕熱處理步驟之前，包括將導(dǎo)電金屬銀部分進(jìn)行平滑處理的步驟。
23.根據(jù)權(quán)利要求22的導(dǎo)電薄膜的制備方法，其中所述平滑處理是在1,960N/cm(200kgf/cm)或更大的線性壓力下進(jìn)行的。
24.根據(jù)權(quán)利要求22或23的導(dǎo)電薄膜的制備方法，其中所述平滑處理是在2,940N/cm(300kgf/cm)或更大的線性壓力下進(jìn)行的。
25.根據(jù)權(quán)利要求22-24任一項(xiàng)的導(dǎo)電薄膜的制備方法，其中所述平滑處理是在6,860N/cm(700kgf/cm)或更小的線性壓力下進(jìn)行的。
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