[發明專利]空白掩模和使用所述空白掩模來制造光掩模的方法

有效

• 申請號: 201310273623.1
• 申請日: 2013-06-28
• 公開（公告）號: CN103529642A
• 公開（公告）日: 2014-01-22
• 發明（設計）人: 南基守;姜亙遠;梁澈圭;李鐘華;張圭珍
• 申請（專利權）人: 株式會社S&S技術
• 主分類號: G03F1/50
• 分類號: G03F1/50
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種空白掩模，其特征在于其在透明襯底上，包含光屏蔽層以及硬掩模膜，其中所述硬掩模膜包括錫、鉻以及鉭中的至少一者。

2.根據權利要求1所述的空白掩模，其特征在于其中所述硬掩模膜更包括氧、氮和碳中的至少一種材料。

3.根據權利要求1所述的空白掩模，其特征在于其中所述硬掩模膜更包括選自由以下各者組成的群組的至少一種金屬：鈦、釩、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鋅、鎵、鍺、鋯、鈮、鉬、釕、銠、鈀、銀、鎘、銦、鉿、鎢、鋨、銥、鉑和金；且選擇性地更包括硅、氧、氮和碳中的至少一種材料。

4.根據權利要求1所述的空白掩模，其特征在于其中所述硬掩模膜由以下各者中的至少一者形成：SnCON、SnON、SnCN、SnCO、SnO、SnC、SnN、Cr、CrCON、CrON、CrCN、CrCO、CrC、CrN、CrO、CrSn、CrSnCON、CrSnON、CrSnCN、CrSnCO、CrSnC、CrSnN、CrSnO、TaSn、TaSnCON、TaSnON、TaSnCN、TaSnCO、TaSnC、TaSnN、TaSnO、CrTaSnCON、CrTaSnON、CrTaSnCN、CrTaSnCO、CrTaSnO、CrTaSnC以及CrTaSnN。

5.根據權利要求1所述的空白掩模，其特征在于其中所述光屏蔽層包括至少一種金屬和硅，

其中所述至少一種金屬包括選自由以下各者組成的群組的至少一者：鈦、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鋅、鎵、鍺、鋯、鈮、鉬、釕、銠、鈀、銀、鎘、銦、鉿、鉭、鎢、鋨、銥、鉑、金、鋁、鎂、鋰以及硒；且選擇性地更包括氧、氮和碳中的至少一種材料。

6.根據權利要求5所述的空白掩模，其特征在于其中所述光屏蔽層形成為單層膜、包含光阻擋層以及抗反射層的多層膜或連續膜。

7.根據權利要求6所述的空白掩模，其特征在于其中所述光屏蔽層包括MoSi化合物、MoTaSi化合物或其組合。

8.根據權利要求7所述的空白掩模，其特征在于其中所述MoSi化合物包括以下各者中的至少一者：MoSi、MoSiCON、MoSiON、MoSiCN、MoSiCO、MoSiO、MoSiC以及MoSiN，且

所述MoTaSi化合物包括以下各者中的至少一者：MoTaSi、MoTaSiCON、MoTaSiON、MoTaSiCN、MoTaSiCO、MoTaSiC、MoTaSiN以及MoTaSiO。

9.根據權利要求7所述的空白掩模，其特征在于其中所述MoTaSi化合物具有以下組成：Mo的含量為1at％到40at％，Ta的含量為1at％到40at％，Si的含量為30at％到80at％，氮的含量為0at％到50at％，氧的含量為0at％到20at％，且碳的含量為0at％到20at％，且

所述MoSi化合物具有以下組成：Mo的含量為1at％到40at％，Si的含量為40at％到80at％，氮的含量為0at％到50at％，氧的含量為0at％到20at％，且碳的含量為0at％到20at％。

10.根據權利要求1所述的空白掩模，其特征在于其中所述硬掩模膜具有以下組成：Cr的含量為30at％到99at％，Sn的含量為1at％到30at％，氧的含量為0at％到50at％，氮的含量為0at％到50at％，且碳的含量為0at％到20at％。

11.根據權利要求1所述的空白掩模，其特征在于其中所述硬掩模膜是使用Cr標靶以及Sn標靶或使用CrSn標靶而形成，

其中所述CrSn標靶中Cr∶Sn的組成比為99at％到60at％∶1at％到40at％。

12.根據權利要求1所述的空白掩模，其特征在于其中所述硬掩模膜的厚度為10埃到100埃，且

所述硬掩模膜的蝕刻速率至少為0.6埃/秒。

13.根據權利要求7所述的空白掩模，其特征在于其中用以形成所述MoTaSi化合物的濺射標靶中所包含的Mo∶Ta∶Si的組成比為2at％到40at％∶2at％到40at％∶20at％到96at％，且

用以形成所述MoSi化合物的濺射標靶中所包含的Mo∶Si的組成比為5at％到40at％∶60at％到95at％。