[發明專利]引線框架封裝及其形成方法

在審

• 申請號: 201310273425.5
• 申請日: 2013-07-02
• 公開（公告）號: CN103531558A
• 公開（公告）日: 2014-01-22
• 發明（設計）人: R.奧特倫巴;K.席斯
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/367;H01L21/48;H01L21/60
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 胡莉莉;劉春元

1.一種半導體器件，其包括：

半導體芯片，其被部署在引線框架上方，其中半導體芯片的主表面包括接觸焊盤和控制接觸焊盤，其中接觸焊盤具有沿著控制接觸焊盤的第一側的第一部分和沿著控制接觸焊盤的相對的第二側的第二部分；

夾片，其被部署在半導體芯片上方，其中夾片將第一部分和第二部分與引線框架的第一引線電耦合；以及

線接合，其將控制接觸焊盤與引線框架的第二引線電耦合。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，

夾片關于控制接觸焊盤對稱部署。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，

夾片將第一部分和第二部分與引線框架的第三引線電耦合。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其中，

第二引線被部署在第一引線與第三引線之間。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，

第二引線在垂直于第一引線的方向上取向。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，

夾片包括銅。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，

夾片與半導體芯片至少70%的主表面重疊。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，

夾片具有至少0.1?mm的厚度。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，

半導體芯片包括感測接觸焊盤，并且其中感測接觸焊盤通過另一個線接合電耦合至引線框架的第四引線。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，其中，

第四引線在垂直于第一引線的方向上取向。

11.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，

半導體芯片是分立功率晶體管，其中接觸焊盤電耦合至分立功率晶體管的源極/漏極區域，并且其中控制接觸焊盤電耦合至分立功率晶體管的控制區域。

12.根據權利要求11所述的半導體器件，其中，

分立功率晶體管是硅基晶體管。

13.根據權利要求11所述的半導體器件，其中，

分立功率晶體管是氮化鎵基晶體管。

14.根據權利要求1所述的半導體器件，進一步包括在引線框架上方部署的另一個半導體芯片，所述另一個半導體芯片通過夾片電耦合至引線框架的第三引線。

15.一種電子器件，其包括：

引線框架，其具有在第一平面中部署的多個引線；

半導體芯片，其被部署在引線框架上方；

夾片，其被部署在半導體芯片上方，所述夾片沿著第一平面上的線是對稱的，所述夾片將半導體芯片電耦合至多個引線的第一引線和多個引線的第二引線；

接合焊盤，其被部署在多個引線的第三引線處；以及

接合線，其將半導體芯片電耦合至接合焊盤。

16.根據權利要求15所述的電子器件，其中，

第一平面上的線平行于第一引線。

17.根據權利要求15所述的電子器件，其中，

半導體芯片具有第一接觸焊盤和控制接觸焊盤，其中第一接觸焊盤具有沿著控制接觸焊盤的第一側的第一部分和沿著控制接觸焊盤的相對的第二側的第二部分，并且其中夾片將第一接觸焊盤與第一引線和第二引線電耦合。

18.根據權利要求17所述的電子器件，其中，

夾片關于控制接觸焊盤對稱部署。

19.根據權利要求17所述的電子器件，其中，

夾片將第一部分與第一引線電耦合，并且將第二部分與第二引線電耦合。

20.根據權利要求19所述的電子器件，其中，

第二引線被部署在第一引線與第三引線之間。

21.根據權利要求15所述的電子器件，其中，

半導體芯片具有接觸焊盤、第一控制接觸焊盤和第二控制接觸焊盤，其中接觸焊盤被部署在第一控制接觸焊盤與第二控制接觸焊盤之間，并且其中夾片將接觸焊盤與第一引線和第二引線電耦合。