[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310273049.X
• 申請日: 2013-07-01
• 公開（公告）號: CN104282617B
• 公開（公告）日: 2017-11-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李廣寧;沈哲敏
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所11336
• 代理人: 董巍,高偉

1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底中形成硅通孔；

在所述硅通孔中形成導(dǎo)電層；

形成覆蓋所述硅通孔頂部的BCB層，以完全填充形成于所述硅通孔的邊緣靠近所述硅通孔的頂部的位置的凹坑缺陷；

執(zhí)行化學(xué)機械研磨直至露出所述硅通孔的頂部。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述BCB層的厚度為4-5微米。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，采用化學(xué)氣相沉積工藝形成所述BCB層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述硅通孔的步驟包括：在所述半導(dǎo)體襯底上形成光刻膠層；通過曝光、顯影在所述光刻膠層中形成所述硅通孔的頂部開口的圖案；以所述圖案化的光刻膠層為掩膜，蝕刻所述半導(dǎo)體襯底以在其中形成所述硅通孔；通過灰化去除所述光刻膠層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述導(dǎo)電層由金屬材料構(gòu)成，所述金屬材料包括Pt、Au、Cu、Ti和W中的一種或者多種。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述導(dǎo)電層由Cu構(gòu)成。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述導(dǎo)電層與所述硅通孔之間還依次形成有襯墊層和阻擋層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述阻擋層的構(gòu)成材料為金屬、金屬氮化物或者其組合。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述襯墊層為絕緣層，其構(gòu)成材料為氧化物。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述導(dǎo)電層層之后，還包括執(zhí)行化學(xué)機械研磨直至露出所述硅通孔的頂部的步驟。