[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201310272931.2
• 申請日: 2013-07-02
• 公開（公告）號: CN103530679B
• 公開（公告）日: 2018-06-08
• 發明（設計）人: 黒田宏;小池秀雄
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: G06K19/077
• 分類號: G06K19/077;H01L25/16;H01L23/488;H01L23/498;H01L21/60
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 申發振

1.一種半導體器件，包括：

布線板，具有：上面，沿著所述上面的第一上面邊形成的多個第一接合引線，沿著面對所述上面的第一上面邊的第二上面邊形成的多個第二接合引線，與所述上面相反的下面，以及形成在所述下面上的多個凸塊連接盤，所述上面在平面圖中的形狀為四邊形；

第一半導體芯片，具有：主面，沿著所述主面的第一主面邊形成的多個第一主面邊焊盤，沿著面對所述主面的第一主面邊的第二主面邊形成的多個第二主面邊焊盤，以及與所述主面相反的后面，裝載在所述布線板的所述上面上，使得所述后面面對所述布線板的所述上面，并使得在平面圖中第一和第二主面邊分別對準第一和第二上面邊，并使得第一接合引線和第二接合引線中的每個暴露，所述主面在平面圖中的形狀為四邊形；

第二半導體芯片，具有：正面，沿著所述正面的第一正面邊形成的多個第一正面邊焊盤，以及與所述正面相反的背面，裝載在第一半導體芯片的所述主面上，使得所述背面面對第一半導體芯片的所述主面，并使得在平面圖中第一和第二正面邊分別對準第一和第二主面邊，并使得第一主面邊焊盤和第二主面邊焊盤中的每個暴露，所述正面在平面圖中的形狀為四邊形；

多個第一導線，分別將第一主面邊焊盤與第一接合引線的第一引線組電連接；

多個第二導線，分別將第二主面邊焊盤與第二接合引線電連接；以及

多個第三導線，分別將第一正面邊焊盤與第一接合引線的第二引線組電連接，

其中，第一半導體芯片包括僅沿著所述主面的第一主面邊和第二主面邊形成的焊盤，

其中，第二半導體芯片包括僅沿著所述正面的第一正面邊形成的焊盤，

其中，第一半導體芯片被配置為執行高頻率非接觸通信的接口控制，接收第一、第二和第三調制模式的通信數據，執行對第一和第二調制模式的接收數據和發送數據的安全處理，

其中，第二半導體芯片被配置為執行對第三調制模式的接收數據和發送數據的安全處理，

其中，第一主面邊焊盤包含多個第一焊盤和多個第二焊盤，每個第一焊盤用于向外部輸出高頻率發送電流信號，每個第二焊盤用于從外部輸入高頻率接收電流信號，

其中，所述多個第一焊盤布置于第一主面邊的第一電路區域內，所述多個第二焊盤布置于第一主面邊的第二電路區域內，

其中，在平面圖中，第一電路區域的表面面積大于第二電路區域的表面面積，并且

其中，第一焊盤與第一主面邊焊盤的其他焊盤相比布置得較接近第二主面邊。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，第一焊盤和第二焊盤與用于電磁波通信的天線連接使用。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，

其中，要與第一焊盤連接的輸出晶體管具有大于要與第二焊盤連接的輸入晶體管的尺寸。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，第二半導體芯片通過在遠離第一焊盤的方向，沿著第一半導體芯片的第一主面邊被偏置而裝載在第一半導體芯片的所述主面上。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，

其中，第二引線組通過在第二半導體芯片被偏置的方向偏置，沿著第一上面邊布置，并且

其中，第一正面邊焊盤通過在第二半導體芯片被偏置的方向偏置，沿著第一正面邊布置。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，要由第一半導體芯片處理的高頻率非接觸通信的通信信號是第一至第三ASK調制模式的信號，其載波頻率彼此相等，第二ASK調制模式的信號具有的調制深度低于第一ASK調制模式的信號的調制深度，具有的通信速度等于第一ASK調制模式的信號的通信速度，第三ASK調制模式的信號具有的調制深度低于第一ASK調制模式的信號的調制深度，且具有的通信速度高于第一ASK調制模式的信號的通信速度，

其中，第一半導體芯片執行高頻率非接觸通信的接口控制、和作為數據處理的對第一和第二ASK調制模式的接收數據和發送數據的安全處理這兩者，并且

其中，第二半導體芯片執行作為另一個數據處理的、對第三ASK調制模式的接收數據和發送數據的安全處理。