[發明專利]半導體制造方法

有效

• 申請號: 201310272054.9
• 申請日: 2013-07-02
• 公開（公告）號: CN104282613B
• 公開（公告）日: 2017-08-25
• 發明（設計）人: 王新鵬;張海洋
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所11038
• 代理人: 王莉莉

1.一種半導體制造方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底上依次沉積有界面層、芯膜和硬掩模層；

對所述硬掩模層和所述芯膜進行圖案化以形成中間圖案；

對所述中間圖案中的所述芯膜進行橫向回刻蝕，所述橫向回刻蝕的量根據最終關鍵尺寸來確定；

在所述芯膜的表面外延生長硅鍺以填充由所述橫向回刻蝕去掉的所述芯膜的側壁空間；

去除所述硬掩模；

去除所述芯膜從而由所述硅鍺形成間隔物圖案掩模。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述中間圖案的圖形間隔根據最終圖形間隔來確定。

3.根據權利要求2所述的方法，所述中間圖案的節距為最終節距的兩倍，所述中間圖案中的芯膜和硬掩模的線寬為所述最終關鍵尺寸的3倍，所述中間圖案的圖形間隔的上關鍵尺寸等于所述最終關鍵尺寸。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，最終形成的所述硅鍺間隔物圖案掩模的橫截面為長方形，用于限定自對準雙圖案化的所述最終關鍵尺寸。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述芯膜的表面外延生長硅鍺后還包括：

進行濕法剝離工藝以處理所述硅鍺的側壁表面。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述芯膜為硅芯膜、所述硬掩模使用氮化硅、或所述界面層使用氧化硅。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述芯膜的橫向回刻蝕工藝為使用所述硬掩模作為掩模的濕法刻蝕。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述芯膜的濕法刻蝕使用TMAH和/或NH₄OH；

所述芯膜的濕法刻蝕速率為5-50A/min；

所述橫向回刻蝕的量根據所述最終關鍵尺寸來確定包括：

所述橫向回刻蝕的量等于所述最終關鍵尺寸。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述芯膜包括：

通過使用TMAH和/或NH₄OH的濕法剝離工藝去除所述芯膜。

10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述硬掩模包括：

在高溫下使用磷酸去除所述硬掩模。

11.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述間隔物圖案掩模的材料不同于所述芯膜和所述硬掩模的材料，并且在所述芯膜和所述硬掩模之間具有好的干法和濕法刻蝕選擇性。

12.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：

基于所述間隔物圖案掩模通過干法刻蝕以向下傳遞圖案。