[發明專利]一種鉬碳共摻二氧化鈦光催化薄膜的制備方法有效
| 申請號: | 201310271709.0 | 申請日: | 2013-07-01 |
| 公開(公告)號: | CN103394376A | 公開(公告)日: | 2013-11-20 |
| 發明(設計)人: | 沈杰;羅勝耘;顏秉熙 | 申請(專利權)人: | 復旦大學 |
| 主分類號: | B01J37/34 | 分類號: | B01J37/34;B01J27/22 |
| 代理公司: | 上海正旦專利代理有限公司 31200 | 代理人: | 陸飛;盛志范 |
| 地址: | 200433 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 鉬碳共摻二 氧化 光催化 薄膜 制備 方法 | ||
1.?一種鉬碳共摻二氧化鈦光催化薄膜的制備方法,其特征在于采用射頻磁控濺射技術,使用三靶共濺的濺射儀器,三個濺射靶分別為碳化鈦陶瓷靶、嵌鉬二氧化鈦陶瓷靶以及純二氧化鈦陶瓷靶;基板采用玻璃或金屬板,濺射時以Ar離子轟擊靶材,通過調節各靶的濺射功率來實時調控薄膜的鉬、碳和鈦的原子濃度比,以獲得優良的光催化和光電轉換性能;
制備的具體條件如下:
基板溫度為室溫至300℃;
射頻磁控濺射時使用氧、氬混合氣體,總氣壓為0.1~1.0?Pa,其中O2分壓占總氣壓比為0.5~10.0?%;濺射功率密度為1.7~177?kW/m2;
制備得到的薄膜樣品在空氣、氮氣或惰性氣體保護下退火,退火溫度為400~600?℃,退火時間為1~5小時。
2.?根據權利要求1所述的鉬碳共摻二氧化鈦光催化薄膜的制備方法,其特征在于,所述碳化鈦陶瓷靶Ti/C原子比1:1,純度為99%;二氧化鈦陶瓷靶的純度為99.9%;嵌鉬二氧化鈦陶瓷靶中Mo/Ti原子比為3~10%,純度為99.9%;靶與基板的間距為50~75?mm。
3.?根據權利要求1或2所述的鉬碳共摻二氧化鈦光催化薄膜的制備方法,其特征在于,所述通過調節各靶的濺射功率來實時調控薄膜的鉬、碳和鈦的原子濃度比,具體操作步驟如下:?
(1)先將純二氧化鈦靶的濺射功率密度固定在35~177?kW/m2?中某個值;
(2)將嵌鉬二氧化鈦靶的濺射功率密度固定在1.7~25?kW/m2中某個值,在1.7~25?kW/m2范圍調節碳化鈦靶的不同功率密度,得到固定鉬含量和不同碳含量的薄膜;或者,將碳化鈦靶的濺射功率固定在1.7~25?kW/m2中某個值,在1.7~25?kW/m2范圍調節嵌鉬二氧化鈦靶的不同功率,得到固定碳含量和不同鉬含量的薄膜;或者,在1.7~25?kW/m2范圍同時調節嵌鉬二氧化鈦靶和碳化鈦靶的濺射功率,得到所需的鉬、碳含量的薄膜;制備得到的鉬碳共摻雜TiO2薄膜在可見光下具有優良的光催化性能。
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