[發明專利]用于連接半導體裝置的銅-銠合金線

有效

• 申請號: 201310271669.X
• 申請日: 2013-07-01
• 公開（公告）號: CN103715111A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發明（設計）人: 天野裕之;三上道孝;岡崎純一;濱本拓也;中島伸一郎;山下勉;三苫修一;小野甲介;劉斌;執行裕之
• 申請（專利權）人: 田中電子工業株式會社
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L21/607
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王鐵軍

1.一種用于在半導體裝置中使用的球焊的銅-銠合金線，所述銅-銠合金線包含銠(Rh)和作為基體的余量的純度為99.995質量％以上的銅(Cu)，且其特征在于，在所述高純度銅(Cu)基體中溶解有量為0.1-1.5質量％的作為金屬元素的銠(Rh)和量分別為1.0-10質量ppm和10-150質量ppm的作為非金屬元素的硫(S)和氧(O)。

2.一種用于在半導體裝置中使用的球焊的銅-銠合金線，所述銅-銠合金線包含銠(Rh)和作為基體的余量的純度為99.995質量％以上的銅(Cu)，且其特征在于，在所述高純度銅(Cu)基體中溶解有量為0.1-1.5質量％的作為金屬元素的銠(Rh)和量分別為1.0-10質量ppm、10-150質量ppm和1-10質量ppm的作為非金屬元素的硫(S)、氧(O)和磷(P)。

3.根據權利要求1或2所述的用于在半導體裝置中使用的球焊的銅-銠合金線，其特征在于所述余量的銅(Cu)的純度為99.998質量％以上。

4.根據權利要求1或2所述的用于在半導體裝置中使用的球焊的銅-銠合金線，其特征在于所述銅-銠合金線的維氏硬度為75-100Hv。

5.根據權利要求1或2所述的用于在半導體裝置中使用的球焊的銅-銠合金線，其特征在于以比硫(S)更大的量含有所述氧(O)。

6.根據權利要求1或2所述的用于在半導體裝置中使用的球焊的銅-銠合金線，其特征在于所述半導體裝置的連接電極是鍍有貴金屬的焊盤。

7.根據權利要求1或2所述的用于在半導體裝置中使用的球焊的銅-銠合金線，其特征在于所述半導體裝置的連接電極是鍍有金(Au)、銀(Ag)或鈀(Pd)的焊盤。