[發明專利]傳感器及其制造方法

有效

• 申請號: 201310271600.7
• 申請日: 2010-03-24
• 公開（公告）號: CN103545328A
• 公開（公告）日: 2014-01-29
• 發明（設計）人: 陳志源;詹姆斯·G·費蘭札;克萊文·沈;安東尼·J·羅特費爾德
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L21/02
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 石海霞;鄭特強

1.一種傳感器的制造方法，包括：

提供一結晶半導體基板；

形成一第一圖案化溝槽結構于該結晶半導體基板中；

形成一第二圖案化溝槽結構于該第一圖案化溝槽結構中，其中該第二圖案化溝槽結構具有一寬度，該寬度等于或小于該第一圖案化溝槽結構的寬度；

形成一深寬比捕獲材料于該第一圖案化溝槽結構與該第二圖案化溝槽結構中，其中形成于該第二圖案化溝槽結構中的該深寬比捕獲材料具有差排缺陷，而位于該第一圖案化溝槽結構中的該深寬比捕獲材料不會出現差排缺陷；以及

制作一光檢測器，形成于該深寬比捕獲材料上或于該深寬比捕獲材料中，以輸出電子，該電子是于該光檢測器中通過光吸收所產生。

2.如權利要求1所述的傳感器的制造方法，其中該結晶半導體基板為一硅基板，該深寬比捕獲材料由一非硅半導體材料所構成。

3.如權利要求1所述的傳感器的制造方法，其中該第一圖案化溝槽結構具有一寬度，該寬度為2至5微米或更大。

4.如權利要求1所述的傳感器的制造方法，其中形成該深寬比捕獲材料的步驟包括成長結晶材料，該結晶材料與該結晶半導體基板為晶格失配。

5.一種傳感器，包括：

一結晶基板；

一絕緣子，具有多個開口至該結晶基板；

一第一結晶材料，位于該絕緣子中的該開口內，該第一結晶材料與該結晶基板為晶格失配；

一第二緩沖結晶材料，位于該結晶基板與該第一結晶材料之間，該第二緩沖結晶材料與該結晶基板為晶格失配；

一光感測元件，位于至少一部分的該第一結晶材料中，以輸出電子，該電子是于該光感測元件中通過光吸收所產生；以及

多個接觸端，耦接至該光感測元件，以接收該電子，獲得一輸出電子信號。

6.如權利要求5所述的傳感器，其中該第一結晶材料包括一二-六族化合物或其三元素及四元素化合物、一三-五族化合物或其三元素及四元素化合物、或一第四族材料。