[發(fā)明專利]溝槽型MOS晶體管制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310271012.3
• 申請(qǐng)日: 2013-06-28
• 公開（公告）號(hào): CN103346091B
• 公開（公告）日: 2016-11-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳亞貞;劉憲周
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種溝槽型MOS晶體管制造方法，其特征在于包括：

提供襯底，所述襯底包括有源區(qū)和外圍區(qū)；

在所述襯底上形成層間介質(zhì)層，刻蝕所述層間介質(zhì)層以形成有源區(qū)通孔和外圍區(qū)保護(hù)環(huán)；

在所述有源區(qū)通孔和外圍區(qū)保護(hù)環(huán)中形成硼磷硅玻璃；

去除所述有源區(qū)通孔中的硼磷硅玻璃，同時(shí)去除外圍區(qū)保護(hù)環(huán)中的部分第一硼磷硅玻璃；

進(jìn)行源漏區(qū)離子注入；

再次在所述有源區(qū)通孔和外圍區(qū)保護(hù)環(huán)中形成硼磷硅玻璃；

刻蝕所述有源區(qū)通孔中的硼磷硅玻璃以形成側(cè)墻；

以所述側(cè)墻為掩膜刻蝕所述襯底形成與有源區(qū)接觸的接觸孔。

2.如權(quán)利要求1所述的溝槽型MOS晶體管制造方法，其特征在于，兩次形成硼磷硅玻璃的厚度皆為。

3.如權(quán)利要求1所述的溝槽型MOS晶體管制造方法，其特征在于，兩次形成硼磷硅玻璃皆為采用沉積和回流工藝。

4.如權(quán)利要求3所述的溝槽型MOS晶體管制造方法，其特征在于，所述硼磷硅玻璃回流工藝的回流溫度為700℃-900℃。

5.如權(quán)利要求1所述的溝槽型MOS晶體管制造方法，其特征在于，在所述襯底上形成層間介質(zhì)層之前，還包括：

所述襯底中形成有溝槽；

在所述溝槽中形成柵極結(jié)構(gòu)。

6.如權(quán)利要求1所述的溝槽型MOS晶體管制造方法，其特征在于，在刻蝕所述層間介質(zhì)層形成有源區(qū)通孔和外圍區(qū)保護(hù)環(huán)之后，在所述通孔和保護(hù)環(huán)中形成硼磷硅玻璃之前，還包括：

進(jìn)行阱區(qū)離子注入和外圍區(qū)離子注入。

7.如權(quán)利要求6所述的溝槽型MOS晶體管制造方法，其特征在于，所述阱區(qū)離子注入、外圍區(qū)離子注入及源漏區(qū)離子注入為N型注入。

8.如權(quán)利要求1所述的溝槽型MOS晶體管制造方法，其特征在于，采用濕法刻蝕工藝去除所述通孔中的硼磷硅玻璃。

9.如權(quán)利要求1所述的溝槽型MOS晶體管制造方法，其特征在于，在進(jìn)行源漏區(qū)離子注入之后，在再次在所述通孔和保護(hù)環(huán)中形成硼磷硅玻璃之前，還包括：

沉積側(cè)墻的氧化層；

對(duì)所述源漏極進(jìn)行退火處理。

10.如權(quán)利要求1所述的溝槽型MOS晶體管制造方法，其特征在于，在形成與有源區(qū)接觸的接觸孔之后，還包括：

形成接觸孔阻擋層和金屬層。