[發明專利]電可擦可編程只讀存儲器

有效

• 申請號: 201310270867.4
• 申請日: 2013-06-28
• 公開（公告）號: CN103346156B
• 公開（公告）日: 2017-03-08
• 發明（設計）人: 楊光軍;顧靖
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L27/11517
• 分類號: H01L27/11517
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種電可擦可編程只讀存儲器，至少包括：

半導體襯底；

于該半導體襯底上間隔設置N型重摻雜的源極區域和漏極區域及溝道區該溝道區位于該源極區域和該漏極區域之間；

第一位線和第二位線，分別連接于該源極區域和該漏極區域；

第一浮柵，設置于該溝道區和該源極區域上方，第二浮柵，設置于該溝道區和該漏極區域上方，該第一浮柵和該第二浮柵分別構成第一存儲位單元和第二存儲位單元；

第一控制柵和第二控制柵，分別設置于該第一浮柵和該第二浮柵上方；以及字線，位于該溝道區上方并位于該第一浮柵和第二浮柵之間。

2.如權利要求1所述的一種電可擦可編程只讀存儲器，其特征在于：該半導體襯底為N型襯底。

3.如權利要求1所述的一種電可擦可編程只讀存儲器，其特征在于：在對該電可擦可編程只讀存儲器進行擦除操作時，對選中單元，對該字線施加的電壓范圍是-1～-3V，對該第一位線施加的電壓范圍是5～8V，對該第一控制柵施加的電壓范圍為-5～-8V，該第二位線與該第二控制柵電壓為0。

4.如權利要求1所述的一種電可擦可編程只讀存儲器，其特征在于：在對該電可擦可編程只讀存儲器進行擦除操作時，對相同行未選中單元，對該字線施加的電壓范圍是-1～-3V，對該第一控制柵施加的電壓范圍為-5～-8V，該第一位線、該第二位線與該第二控制柵電壓為0。

5.如權利要求1所述的一種電可擦可編程只讀存儲器，其特征在于：在對該電可擦可編程只讀存儲器進行擦除操作時，對同列不同行的未選中單元，對該第一位線施加的電壓范圍為5～8V，該字線電壓、該第二位線、該第一控制柵及該第二控制柵電壓為0。

6.如權利要求1所述的一種電可擦可編程只讀存儲器，其特征在于：在對該電可擦可編程只讀存儲器進行編程操作時，對選中單元，對該第一控制柵施加電壓范圍為5～9V，對該第二控制柵施加電壓范圍為3～5V，對該第一位線施加電壓范圍為5～7V，該第二位線施加電流范圍為1～5uA，對該字線施加的電壓范圍為1～2V。

7.如權利要求1所述的一種電可擦可編程只讀存儲器，其特征在于：在對該電可擦可編程只讀存儲器進行編程操作時，對同行未選中單元，該第一控制柵接5～9V電壓，該第二控制柵接3～5V電壓，該字線WL接1～2V電壓，該第一位線及第二位線電壓為0V。

8.如權利要求1所述的一種電可擦可編程只讀存儲器，其特征在于：在對該電可擦可編程只讀存儲器進行編程操作時，對同列不同行未選中單元，該控制柵、該第二控制柵及該字線均接0V電壓，對不同行不同列的未選中單元，該第一控制柵、該第二控制柵、該字線、該第一位線及該第二位線均接0V電壓。

9.如權利要求1所述的一種電可擦可編程只讀存儲器，其特征在于：在對該電可擦可編程只讀存儲器進行讀操作時，對選中單元，該第一控制柵接0V電壓，對該第二控制柵施加電壓范圍為3～5V，對該第二位線施加電壓范圍為0.5～2V，該第一位線接0V電壓，對該字線施加的電壓范圍是3～5V。

10.如權利要求1所述的一種電可擦可編程只讀存儲器，其特征在于：在對該電可擦可編程只讀存儲器進行讀操作時，對同行未選中單元，該第一控制柵接0V，該第二控制柵施加電壓范圍為3～5V，對該字線施加的電壓范圍是3～5V，該第一位線及該第二位線懸空。

11.如權利要求1所述的一種電可擦可編程只讀存儲器，其特征在于：在對該電可擦可編程只讀存儲器進行讀操作時，對同列不同行未選中單元，該第一控制柵、該第二控制柵及該字線接0V電壓，對不同行不同列的未選中單元，該第一控制柵、第二控制柵、該字線、該第一位線及該第二位線均接0V電壓。