[發明專利]一種消除頂層金屬層結合區合金表面隆起的方法

有效

• 申請號: 201310270756.3
• 申請日: 2013-06-30
• 公開（公告）號: CN104253085B
• 公開（公告）日: 2017-08-25
• 發明（設計）人: 李健
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 無錫互維知識產權代理有限公司32236
• 代理人: 王愛偉

1.一種消除頂層金屬層結合區合金表面隆起的方法，其包括如下步驟：

步驟一：在襯底上形成半導體器件并在所述半導體器件上形成金屬互連層；

步驟二：在最頂層的金屬互連層上沉積至少兩層鈍化層作為保護層，其中該步驟還包括在沉積完上一層鈍化層之后、沉積下一層鈍化層之前對包含至少一層鈍化層的最頂層的金屬互連層進行退火合金化；

步驟三：對所述鈍化層進行刻蝕，暴露出最頂層的金屬互連層結合區。

2.根據權利要求1所述的消除頂層金屬層結合區合金表面隆起的方法，其特征在于：所述鈍化層為兩層，其中第一層鈍化層為氮化硅，第二層鈍化層為氧化硅，其中，所述退火合金化是在第一層鈍化層氮化硅沉積之后、第二層鈍化層氧化硅沉積之前進行。

3.根據權利要求2所述的消除頂層金屬層結合區合金表面隆起的方法，其特征在于：所述第一層鈍化層采用HDPCVD方式沉積，所述第一層鈍化層的厚度為50-1000納米。

4.根據權利要求1所述的消除頂層金屬層結合區合金表面隆起的方法，其特征在于：所述最頂層的金屬互連層為鋁銅合金，其中所述銅的含量為0.5％—4％。

5.根據權利要求2所述的消除頂層金屬層結合區合金表面隆起的方法，其特征在于：所述第二層鈍化層采用PECVD方式沉積。

6.根據權利要求1所述的消除頂層金屬層結合區合金表面隆起的方法，其特征在于：所述步驟二中退火合金化的溫度為750-950℃，時間為50-90s。

7.根據權利要求1所述的消除頂層金屬層結合區合金表面隆起的方法，其特征在于：所述步驟三中對所述鈍化層進行刻蝕的步驟為：在所述鈍化層的表面涂覆光刻膠，并進行曝光顯影，形成光刻膠圖案,以光刻膠圖案為掩膜對鈍化層進行干法刻蝕。