[發(fā)明專利]LED的制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310270481.3
• 申請日: 2013-06-28
• 公開（公告）號: CN103531676A
• 公開（公告）日: 2014-01-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高橋智一;秋月伸也;杉村敏正;松村健;宇圓田大介
• 申請（專利權(quán)）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

本申請要求2012年6月28日提交的日本專利申請No.2012-145451的優(yōu)先權(quán)，該日本專利申請的內(nèi)容通過引用合并于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種LED的制造方法。

背景技術(shù)

至今，在LED的制造中，發(fā)光元件層疊在基板上以形成LED晶圓，然后基板的發(fā)光元件相反側(cè)的面被研磨（背面研磨）以使基板變薄（例如，日本特開2005-150675號公報(bào)和特開2002-319708號公報(bào)）。通常，在經(jīng)由壓敏粘蠟將基板的發(fā)光元件側(cè)的面固定到工作臺的情況下進(jìn)行這種研磨。已經(jīng)經(jīng)過研磨的LED晶圓還經(jīng)受如下步驟：例如，加熱上述蠟以剝離LED晶圓，清潔附著在LED晶圓上的蠟，切（切割）LED晶圓以單片化成小元件片，并且在基板的發(fā)光元件相反側(cè)的面上形成反射層。經(jīng)過背面研磨步驟的LED晶圓非常薄，因此存在如下問題：在研磨基板和在后續(xù)處理的那些步驟中，容易發(fā)生諸如破裂的損傷。

通常，例如通過諸如MOCVD法和離子輔助電子束沉積法等的氣相沉積法形成反射層。在使用MOCVD方法的情況中，在LED晶圓以反射層形成側(cè)向上（也就是，基板的外側(cè)向上）的方式放置在工作臺上之后，基板的外側(cè)面經(jīng)受氣相沉積處理。此外，在使用離子輔助電子束沉積法的情況中，LED晶圓在反射層形成側(cè)的相反側(cè)（也就是，發(fā)光元件側(cè)）覆蓋有蓋，并且露出反射層形成面（也就是，基板的外側(cè)面）。露出的面經(jīng)受氣相沉積處理。然而，在這種傳統(tǒng)的制造方法中，可能發(fā)生如下問題。金屬進(jìn)入到LED晶圓的反射層形成面的相反側(cè)的面（也就是，發(fā)光元件側(cè)的面）和工作臺或蓋之間的空間，因而在發(fā)光元件的外側(cè)還形成金屬層。因而，LED的亮度受到負(fù)面地影響。當(dāng)待形成反射層的LED晶圓翹曲時(shí)以及當(dāng)LED晶圓在反射層形成期間翹曲時(shí)，這個(gè)問題變得更顯著。

發(fā)明內(nèi)容

已經(jīng)做出本發(fā)明以解決上述傳統(tǒng)的問題，并且本發(fā)明的目的在于提供一種LED的制造方法，該方法能夠通過防止LED晶圓受到損傷而高產(chǎn)量地制造LED，此外，該方法能夠防止在反射層形成步驟中在發(fā)光元件的外側(cè)形成金屬層。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的LED的制造方法包括：

背面研磨LED晶圓的基板，所述LED晶圓包括所述基板和形成在所述基板的一面上的發(fā)光元件；

在所述背面研磨之后，在所述基板的外側(cè)形成反射層；以及

在所述LED晶圓的發(fā)光元件的外側(cè)貼附耐熱性壓敏粘合片。

在本發(fā)明的實(shí)施方式中，所述耐熱性壓敏粘合片包括硬質(zhì)基體構(gòu)件和壓敏粘合層。

在本發(fā)明的實(shí)施方式中，所述背面研磨包括貼附所述耐熱性壓敏粘合片，以及在所述耐熱性壓敏粘合片仍然貼附在所述LED晶圓的狀態(tài)下，所述LED晶圓經(jīng)受所述反射層的形成。

根據(jù)本發(fā)明，耐熱性壓敏粘合片安裝到LED晶圓的發(fā)光元件的外側(cè)，因此在制造LED的步驟中，防止LED晶圓受到損傷以高產(chǎn)量地制造LED。此外，在耐熱性壓敏粘合片仍然貼附在LED晶圓的狀態(tài)下，LED晶圓經(jīng)受反射層形成步驟，因此可以防止在發(fā)光元件的外側(cè)形成金屬層。此外，可得到上述效果，而無需重新安裝一片耐熱性壓敏粘合片，因此，可有效率地制造LED。

附圖說明

在附圖中：

圖1的A至圖1的D是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的LED的制造方法中的背面研磨步驟的示意圖；

圖2是在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的LED的制造方法中使用的LED晶圓的示意性截面圖；

圖3A至圖3C是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的LED的制造方法中的反射層形成步驟中的示意圖；

圖4A至圖4D是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的LED的制造方法中的切割步驟的示意圖；并且

圖5A至圖5F是示出根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的LED的制造方法的各步驟的示意圖。

具體實(shí)施方式

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的LED的制造方法包括：研磨LED晶圓的基板的背面研磨步驟和在基板的外側(cè)形成反射層的反射層形成步驟，該LED晶圓包括基板和形成在基板的一面上的發(fā)光元件。反射層優(yōu)選地通過氣相沉積法形成。在本發(fā)明中，通過耐熱性壓敏粘合片保護(hù)LED晶圓，因此可在諸如背面研磨步驟和反射層形成步驟等制造步驟期間和在上述步驟之間的處理期間防止LED晶圓受到損傷（例如，破裂）。此外，在反射層形成步驟中，可防止在發(fā)光元件的外側(cè)形成金屬層（稍后詳細(xì)說明）。優(yōu)選地，在背面研磨步驟中已經(jīng)貼附到LED晶圓的耐熱性壓敏粘合片仍然貼附在LED晶圓（也就是，不用重新貼附）的狀態(tài)下，LED晶圓經(jīng)受反射層形成步驟。