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[發明專利]一種耐高溫電纜無效

專利信息
申請號: 201310270460.1 申請日: 2013-06-29
公開(公告)號: CN103390445A 公開(公告)日: 2013-11-13
發明(設計)人: 沈必亮;張進軍;胡守立;胡春標 申請(專利權)人: 安徽春輝儀表線纜集團有限公司
主分類號: H01B7/00 分類號: H01B7/00;H01B7/29
代理公司: 合肥市長遠專利代理事務所(普通合伙) 34119 代理人: 劉勇
地址: 239300 安*** 國省代碼: 安徽;34
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摘要:
搜索關鍵詞: 一種 耐高溫 電纜
【說明書】:

技術領域

發明涉及電線電纜技術領域,尤其涉及一種耐高溫電纜。

背景技術

目前,國內外高溫場所供電系統設備鏈接用電力電纜已經達到較高的水平,三十傳統的耐高溫電纜往往是從電纜的材料入手,選取耐高溫的絕緣或護套材料,以達到耐高溫的目的,但是往往也就是不超過300攝氏度,離某些高溫場合還有一段差距,因此急需開發一種耐超高溫且能穩定持續工作的電纜。因此,提供一種耐超高溫且能穩定持續工作的電纜是本領域技術人員急需解決的問題。

發明內容

為了解決上述存在的諸多問題,本發明旨在提供一種耐超高溫且能穩定持續工作的耐高溫電纜。

本發明提供一種耐高溫電纜,包括導體,所述導體為高強度純銅,所述純銅導體為圓柱狀,直徑為0.2mm-4mm,所述純銅導體的表面噴鍍一層銀;所述鍍銀層外表包覆一層玻璃纖維層,所述玻璃纖維層的厚度為0.02-0.06mm;所述玻璃纖維層外設有一層涂覆Si的碳纖維層,所述碳纖維層與所述玻璃纖維層之間填充隔熱層,所述隔熱層由石墨和碳化硅的混合粉末構成;所述碳纖維的外圍包裹一層絕緣防護套,所述絕緣防護套由聚氯乙烯構成,所述電纜包裹防護套后,在壓具模型中經過80-120攝氏度的溫度下拉拔成型。

進一步地,所述導體可以為兩根,且所述兩根導體并行間隔排列,所述玻璃纖維層包裹。

進一步地,所述隔熱層的厚度為1mm-2mm,且石墨與碳化硅的質量比為2:1。

進一步地,所述電纜的拉拔加工的溫度為100攝氏度。

本發明中,該耐高溫電纜包括導體,所述導體為高強度純銅,所述純銅導體為圓柱狀,直徑為0.2mm-4mm,所述純銅導體的表面噴鍍一層銀;所述鍍銀層外表包覆一層玻璃纖維層,所述玻璃纖維層的厚度為0.02-0.06mm;所述玻璃纖維層外設有一層涂覆Si的碳纖維層,所述碳纖維層與所述玻璃纖維層之間填充隔熱層,所述隔熱層由石墨和碳化硅的混合粉末構成;所述碳纖維的外圍包裹一層絕緣防護套,所述絕緣防護套由聚氯乙烯構成,所述電纜包裹防護套后,在壓具模型中經過80-120攝氏度的溫度下拉拔成型。

首先,所述玻璃纖維層和涂覆Si的碳纖維層的設置,大大加強了電纜的耐高溫性;另外,石墨和碳化硅的填充,也大幅提高了電纜的耐高溫性。

附圖說明

圖1為本發明實施例一種耐高溫電纜的剖面結構示意圖。

具體實施方式

下面通過具體實施方式來進一步說明本發明的技術方案:

如圖1所示,本發明實施例提供一種耐高溫電纜,包括導體1,所述導體1為高強度純銅,所述純銅導體1為圓柱狀,直徑為0.2mm,所述純銅導體1的表面噴鍍一層銀;所述鍍銀層外表包覆一層玻璃纖維層2,所述玻璃纖維層2的厚度為0.02mm;所述玻璃纖維層2外設有一層涂覆Si的碳纖維層4,所述碳纖維層4與所述玻璃纖維層2之間填充隔熱層3,所述隔熱層3由石墨和碳化硅的混合粉末構成;所述碳纖維4的外圍包裹一層絕緣防護套5,所述絕緣防護聚氯乙烯構成,所述電纜包裹防護套5后,在壓具模型中經過80攝氏度下拉拔成型。

首先,所述玻璃纖維層和涂覆Si的碳纖維層的設置,大大加強了電纜的耐高溫性;另外,石墨和碳化硅的填充,也大幅提高了電纜的耐高溫性。

在進一步技術方案中,所述導體可以為兩根,且所述兩根導體并行間隔排列,各自被所述玻璃纖維層包裹;所述隔熱層的厚度為1mm-2mm,且石墨與碳化硅的質量比為2:1;所述電纜的拉拔加工的溫度為100攝氏度。

本發明另一個實施例提供一種耐高溫電纜,包括導體,所述導體為高強度純銅,所述純銅導體為圓柱狀,直徑為0.8mm,所述純銅導體的表面噴鍍一層銀;所述鍍銀層外表包覆一層玻璃纖維層,所述玻璃纖維層的厚度為0.05mm;所述玻璃纖維層外設有一層涂覆Si的碳纖維層,所述碳纖維層與所述玻璃纖維層之間填充隔熱層,所述隔熱層由石墨和碳化硅的混合粉末構成;所述碳纖維的外圍包裹一層絕緣防護套,所述絕緣防護套由聚氯乙烯構成,所述電纜包裹防護套后,在壓具模型中經過120攝氏度的溫度下拉拔成型。首先,所述玻璃纖維層和涂覆Si的碳纖維層的設置,大大加強了電纜的耐高溫性;另外,石墨和碳化硅的填充,也大幅提高了電纜的耐高溫性。

上面實施例只是對本發明進行了示例性的描述,顯然本發明的實現并不受上述方式的限制,只要采用了發明的方法構思和技術方案進行的各種改進,或未經改進將發明的構思和技術方案直接應用于其它場合的,均在本發明的保護范圍內。

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