[發明專利]一種LED背光光源

無效

• 申請號: 201310269974.5
• 申請日: 2013-06-28
• 公開（公告）號: CN103292225A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發明（設計）人: 胡哲彰;樊勇
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: F21S8/00
• 分類號: F21S8/00;F21V9/10;G02F1/13357;F21Y101/02
• 代理公司: 廣東廣和律師事務所 44298
• 代理人: 劉敏

技術領域

本發明涉及一種LED背光光源，尤其是指一種將紅藍芯片和量子點熒光粉相組合而成的LED背光光源。

背景技術

在TFT-LCD的彩色平板顯示元件中，由于LCD本身并不發光，所以需要背光源和RGB彩色濾光膜相搭配來實現彩色顯示。

就目前LED背光而言，為了實現高色域，通常采用藍色芯片加RG熒光粉以及增加彩色濾光膜的厚度來實現。若在不增加彩色濾光膜厚度的前提下，由于現在的普通的RG熒光粉激發光譜的半高峰寬(FWHM)通常都大于40nm，其中，R為氮化物和氮氧化合物類，G為硅酸鹽類或氮化物和氮氧化合物類，色純度較低，這種方式最大可實現的NTSC比藍光芯片加YAG熒光粉的方式提高約20％的NTSC。若在采用藍色芯片加普通RG熒光粉LED的基礎上再增加彩色濾光片的膜厚，則由于彩色濾光片膜厚增加，背光源經過面板后的穿透率將會大大降低，大約提高1％的NTSC要降低1％左右的穿透率，且增加厚度色阻材料使用量。

此外，高色域背光LED，也有用RGB芯片來實現的，這種方式由于RGB三色芯片的壽命衰減曲線不同，尤其是綠色芯片壽命衰減最快，這樣背光源色度隨著LED點燈時間的延長而激烈變化；雖然這種方式可以實現高NTSC和高穿透率，但是由于LED驅動復雜，且需要色度反饋系統來調整LED不同顏色芯片的驅動電流，所以成本很高，且不容易應用在窄邊框機中。

因此，有必要提供一種高NTSC、高穿透率和亮度的LED背光光源。

發明內容

基于現有技術的不足，本發明的主要目的在于提供一種高色域高亮度紅藍芯片與量子點熒光粉組合而成的LED背光電源，以提高LED背光光源的NTSC，以及穿透率和亮度。

一種LED背光光源，包括至少一個紅色芯片和藍色芯片，還進一步包括綠色量子點熒光粉層，所述綠色量子點熒光粉層與紅色芯片和藍色芯片相互不接觸，并與其一并封裝入同一顆LED背光光源中。紅色芯片和藍色芯片所發出的紅光和藍光分別穿透所述綠色量子點熒光粉層，進行綠光補償，以獲得高NTSC、高穿透率和高亮度的白光。

優選地，所述紅色芯片和藍色芯片平行排列，其外周包裹有封裝層，所述綠色量子點熒光粉層混入封裝層的上層，或黏貼于所述封裝層的上方。所述綠色量子點熒光粉層可設置于封裝層內，或封裝層上方。

在本發明中，所述綠色量子點的峰值波長為525-540nm，熒光粉激發光譜的半高峰寬(FWHM)值為25-40nm；所述藍色芯片峰值波長為440-455nm，熒光粉激發光譜的半高峰寬(FWHM)值小于25nm；所述紅色芯片峰值波長為625-650nm，熒光粉激發光譜的半高峰寬(FWHM)值小于25nm。所述綠色量子點熒光粉的材料為單核結構的磷化銦(InP)、硒化鎘(CdSe)、核殼結構的硒化鎘/鋅硒(CdSe/ZnSe)、硒化鎘/硫化鋅(CdSe/ZnS)、硫化鎘/硫化鋅(CdS/ZnS)、硫化鎘/硫化汞(CdS/HgS)、硒化鎘/硫化鋅/硫化鎘(CdSe/ZnS/CdS)、硒化鎘/硫化鎘/硫化鋅(CdSe/CdS/ZnS)、磷化銦/硫化鎘(InP/CdS)或磷化銦/硒化鎘(InP/CdSe)中任選一種或多種。所述綠色量子點的尺寸小于15nm。所述紅色芯片所發的紅光光強度范圍為0.6-1.4(對藍光歸一化的LED光譜)；所述綠色芯片所發出的綠光光強度范圍為0.25-0.5(對藍光歸一化的LED光譜)。

在本發明中，所述綠色量子點熒光粉層的厚度為100nm至0.7mm之間，密度為1.0-5.0g/cm³。所述綠色量子點熒光粉層與紅色芯片和藍色芯片之間的間距為大于100nm。