[發明專利]陣列基板及其制造方法和顯示裝置有效
| 申請號: | 201310269972.6 | 申請日: | 2013-06-28 |
| 公開(公告)號: | CN103336396A | 公開(公告)日: | 2013-10-02 |
| 發明(設計)人: | 袁劍峰;馮玉春;林承武 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 及其 制造 方法 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板,包括基板,以及設置在基板上的像素電極、公共電極、薄膜晶體管和信號線,所述信號線包括柵線、數據線和公共電極線,其特征在于,還包括:
設置于所述像素電極和所述公共電極之間的絕緣層,所述絕緣層包括:與顯示區域對應的第一部分,與非顯示區域對應的第二部分,所述非顯示區域包括:與薄膜晶體管及信號線走線對應的區域;
所述第一部分的介電常數大于第一臨界值,所述第二部分的介電常數小于第二臨界值,所述第一臨界值大于所述第二臨界值。
2.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,
所述絕緣層的材質具有如下特點:經過紫外光照射后,介電常數變大。
3.根據權利要求2所述的陣列基板,其特征在于,
所述絕緣層的第一部分在制造過程中經歷過紫外光照射,所述第二部分在制造過程中沒有經歷過紫外光照射。
4.根據權利要求1-3任一項所述的陣列基板,其特征在于,所述絕緣層為有機絕緣膜。
5.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,還包括:鈍化層;
與所述絕緣層相比,所述鈍化層設置在更靠近所述陣列基板對盒面的一側。
6.一種顯示裝置,其特征在于,包括:權利要求1-5任一項所述的陣列基板。
7.一種陣列基板的制造方法,其特征在于,包括:
在形成有第一電極的基板上形成絕緣層,所述絕緣層由經過紫外光照射后介電常數會變大的材質制成;
在形成有所述第一電極和所述絕緣層的基板上形成第二電極;
從陣列基板的非對盒面的一側對所述陣列基板進行紫外光照。
8.根據權利要求7所述的制造方法,其特征在于,
在所述第一電極為像素電極時,所述第二電極為公共電極;
在所述第一電極為公共電極時,所述第二電極為像素電極。
9.根據權利要求7或8所述的制造方法,其特征在于,所述絕緣層為有機絕緣膜。
10.根據權利要求7所述的制造方法,其特征在于,在形成有所述第一電極和所述絕緣層的基板上形成第二電極之前,或者,在形成有所述第一電極和所述絕緣層的基板上形成第二電極之后,還包括:
在形成有所述絕緣層的基板上形成鈍化層。
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