[發明專利]像素單元、陣列基板及其制造、修復方法和顯示裝置有效
| 申請號： | 201310269567.4 | 申請日： | 2013-06-28 |
| 公開（公告）號： | CN103345093A | 公開（公告）日： | 2013-10-09 |
| 發明（設計）人： | 姚之曉;劉家榮;林鴻濤;王章濤 | 申請（專利權）人： | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司 |
| 主分類號： | G02F1/1362 | 分類號： | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/13;G02F1/1333;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 像素 單元 陣列 及其 制造 修復 方法 顯示裝置 | ||
1.一種像素單元，包括：像素電極、數據線和薄膜晶體管，其特征在于，還包括：
設置在所述薄膜晶體管的旁邊，用于在所述薄膜晶體管損壞時替代所述薄膜晶體管工作的備用薄膜晶體管，所述備用薄膜晶體管的源極與所述數據線隔離，所述備用薄膜晶體管的漏極與所述像素電極隔離；
第一修復線，其一端與所述備用薄膜晶體管的源極隔離并存在重疊區域；
另一端與所述數據線或者所述薄膜晶體管的源極隔離并存在重疊區域；
第二修復線，其一端與所述備用薄膜晶體管的漏極隔離并存在重疊區域；
另一端與所述像素電極或者所述薄膜晶體管的漏極隔離并存在重疊區域。
2.根據權利要求1所述的像素單元，其特征在于，所述第一修復線和/或所述第二修復線，與所述薄膜晶體管的柵極同層設置。
3.根據權利要求1所述的像素單元，其特征在于，所述第一修復線和/或所述第二修復線，與所述像素電極同層設置。
4.根據權利要求1所述的像素單元，其特征在于，還包括：公共電極，
所述第一修復線和/或所述第二修復線，與所述公共電極同層設置。
5.根據權利要求1-4任一項所述的像素單元，其特征在于，還包括：柵線；
所述薄膜晶體管、所述備用薄膜晶體管位于所述柵線和所述數據線的交叉區域，且，
所述薄膜晶體管和備用薄膜晶體管設置在同一所述柵線上。
6.根據權利要求1所述的像素單元，其特征在于，
所述備用薄膜晶體管的柵極，與所述薄膜晶體管的柵極同層設置；
所述備用薄膜晶體管的半導體層，與所述薄膜晶體管的半導體層同層設置；
所述備用薄膜晶體管的源極、漏極，與所述薄膜晶體管的源極、漏極同層設置。
7.一種陣列基板，包括多個像素單元，所述像素單元包括：像素電極、數據線和用于將數據線的顯示信號加載到像素電極上的薄膜晶體管，其特征在于，還包括：
設置在所述薄膜晶體管的旁邊，用于在所述薄膜晶體管損壞時替代所述薄膜晶體管工作的備用薄膜晶體管，所述備用薄膜晶體管的源極與所述數據線隔離，所述備用薄膜晶體管的漏極與所述像素電極隔離；
第一修復線，其一端與所述備用薄膜晶體管的源極隔離并存在重疊區域；
另一端與數據線或者所述薄膜晶體管的源極隔離并存在重疊區域；
第二修復線，其一端與所述備用薄膜晶體管的漏極隔離并存在重疊區域；
另一端與像素電極或者所述薄膜晶體管的漏極隔離并存在重疊區域。
8.根據權利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述第一修復線和/或所述第二修復線，與所述薄膜晶體管的柵極同層設置。
9.根據權利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述第一修復線和/或所述第二修復線，與所述像素電極同層設置。
10.根據權利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述像素單元還包括：公共電極，
所述第一修復線和/或所述第二修復線，與所述公共電極同層設置。
11.根據權利要求7-10任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述像素單元還包括：柵線；
所述薄膜晶體管、所述備用薄膜晶體管和所述透明像素電極位于所述柵線和所述數據線的交叉區域，且，
所述薄膜晶體管和備用薄膜晶體管設置在同一所述柵線上。
12.一種顯示裝置，其特征在于，包括：權利要求7-11任一項所述的陣列基板。
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