[發(fā)明專利]一種氧化鋅壓敏電阻單晶界老化特性的測(cè)試方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310269340.X
• 申請(qǐng)日: 2013-06-28
• 公開（公告）號(hào): CN103336210A
• 公開（公告）日: 2013-10-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何金良;程晨璐;胡軍;曾嶸;張波;余占清
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 清華大學(xué)
• 主分類號(hào): G01R31/00
• 分類號(hào): G01R31/00
• 代理公司: 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201
• 代理人: 羅文群

1.一種氧化鋅壓敏電阻單晶界老化特性的測(cè)試方法，其特征在于該方法包括以下步驟：

（1）制備用于空間電荷測(cè)量的具有雙晶結(jié)構(gòu)的氧化鋅樣品：

（1-1）制備一塊長(zhǎng)為20毫米、寬為20毫米、高為2毫米的氧化鋅單晶，對(duì)氧化鋅單晶的用于接觸摻雜薄層的接觸面打磨成鏡面態(tài)，氧化鋅單晶的接觸面晶軸取向?yàn)閇0001]、[11-20]或[10-10]；

（1-2）制備流延漿料，流延漿料中各組分的質(zhì)量百分比為：

上述金屬氧化物混合粉料中，各組分的質(zhì)量百分比為：

將用于制備流延漿料的上述組分混合并球磨6～12小時(shí)，得到混合均勻的水基漿料。

（1-3）采用水基流延的方法，用上述流延漿料制備厚度為50～200微米的摻雜薄膜，在60～80℃溫度下干燥4～6小時(shí)，將得到的摻雜薄膜切割成與氧化鋅單晶的上述接觸面相同面積的小塊；

（1-4）將上述制備的氧化鋅單晶與上述摻雜薄膜小塊相疊，制成一個(gè)ZnO單晶—摻雜薄膜—ZnO單晶的三明治結(jié)構(gòu)，其中摻雜薄膜與上述接觸面緊密貼合，并使兩個(gè)ZnO單晶中的一個(gè)ZnO單晶相對(duì)于摻雜薄膜和另一個(gè)ZnO單晶共軸旋轉(zhuǎn)0～90°，得到具有不同共格晶界類型的雙晶結(jié)構(gòu)ZnO樣品；

（1-5）將上述ZnO樣品置于磨具中，加熱至1050℃，保溫60分鐘后，隨爐冷卻；

（2）對(duì)上述氧化鋅樣品的上下表面持續(xù)施加1～3V的直流偏壓，并使環(huán)境溫度從0～80℃逐漸升溫，每隔10分鐘，對(duì)氧化鋅樣品的上下表面施加脈沖寬度為1～10納秒、幅值為10～100伏的電脈沖，采用電聲脈沖法測(cè)量氧化鋅樣品內(nèi)部的空間電荷分布，得到跟測(cè)量時(shí)間的氧化鋅樣品的空間電荷分布信號(hào)；

（3）將上述空間電荷分布信號(hào)進(jìn)行去噪、去卷積處理，并從各測(cè)量時(shí)間的空間電荷分布信號(hào)中截取晶界臨近區(qū)域的信號(hào)，根據(jù)晶界臨近區(qū)域信號(hào)中氧化鋅樣品內(nèi)不同位置的空間電荷幅值的減小，觀測(cè)氧化鋅樣品內(nèi)部的帶電離子的遷移與中和，從而得到氧化鋅壓敏電阻的單晶界老化特性。