[發明專利]氧化硅膜的形成方法及氧化硅膜的形成裝置

無效

• 申請號: 201310268788.X
• 申請日: 2013-06-28
• 公開（公告）號: CN103531462A
• 公開（公告）日: 2014-01-22
• 發明（設計）人: 大部智行;黑川昌毅
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/31
• 分類號: H01L21/31;H01L21/316
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

1.一種氧化硅膜的形成方法，其中，

該氧化硅膜的形成方法包括以下工序：

成膜工序，向容納有多張被處理體的反應室內供給含有氯的硅原料而在上述多張被處理體上形成氧化硅膜；以及

改性工序，向上述反應室內供給氫和氧或者氫和一氧化二氮而使該反應室內處于氫和氧的氣氛下或者氫和一氧化二氮的氣氛下，對利用上述成膜工序形成的氧化硅膜進行改性。

2.根據權利要求1所述的氧化硅膜的形成方法，其中，

上述含有氯的硅原料使用四氯化硅、三氯氫硅、二氯二氫硅、一氯甲硅烷以及六氯乙硅烷中的任一種。

3.根據權利要求1所述的氧化硅膜的形成方法，其中，

將上述成膜工序和上述改性工序中的反應室內的溫度維持為600℃～1000℃。

4.根據權利要求1所述的氧化硅膜的形成方法，其中，

上述成膜工序中的反應室內的溫度與上述改性工序中的反應室內的溫度相同。

5.根據權利要求1所述的氧化硅膜的形成方法，其中，

在上述改性工序中，以氧的供給量與氫的供給量之比為1.2：1～3：1的方式向上述反應室內供給該氫和氧。

6.一種氧化硅膜的形成裝置，其中，

該氧化硅膜的形成裝置包括：

成膜部件，其用于向容納有多張被處理體的反應室內供給含有氯的硅原料而在上述多張被處理體上形成氧化硅膜；以及

改性部件，其用于向上述反應室內供給氫和氧或者氫和一氧化二氮而使該反應室內處于氫和氧的氣氛下或者氫和一氧化二氮的氣氛下，對利用上述成膜部件形成的氧化硅膜進行改性。

7.根據權利要求6所述的氧化硅膜的形成裝置，其中，

上述含有氯的硅原料是四氯化硅、三氯氫硅、二氯二氫硅、一氯甲硅烷以及六氯乙硅烷中的任一種。