[發明專利]線性傳感器、圖像傳感器及電子裝置

無效

• 申請號: 201310268626.6
• 申請日: 2013-06-28
• 公開（公告）號: CN103533258A
• 公開（公告）日: 2014-01-22
• 發明（設計）人: 福山寬大
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H04N5/335
• 分類號: H04N5/335;H01L27/146
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 張梅珍;陳桂香

相關申請的交叉參考

本申請包含與2012年7月5日向日本專利局提交的日本在先專利申請JP2012-151115的公開內容相關的主題，將該在先申請的全部內容通過引用并入本文。

技術領域

本發明涉及線性傳感器、圖像傳感器及電子裝置，具體地涉及能夠更令人滿意地轉移電荷的線性傳感器、圖像傳感器以及電子裝置。

背景技術

在相關領域中，線性傳感器（其中直線布置有具有大面積感光部（light?sensing?part）的傳感器元件）已使用于具有自動聚焦功能以控制聚焦的單透鏡反光照相機中。

例如，尚未經審查的日本專利申請出版物No.H05-63176披露了一種CCD（電荷耦合器件）線性傳感器，該CCD線性傳感器中的包括光感應單元的電荷存儲單元形成為長矩形，其中通過在向著電荷轉移的方向上改變具有不同雜質濃度的區域的寬度來設定電勢差。

發明內容

并且，近年來已經研發出使用具有CMOS（互補金屬氧化物半導體）結構的傳感器元件的CMOS線性傳感器，并且這種CMOS線性傳感器是以比CCD線性傳感器低的電壓（例如，約3～5V）進行驅動。由于這種原因，當使用具有大面積感光部的傳感器元件時，CMOS線性傳感器中的電荷轉移要比CCD線性傳感器中的更為困難。

特別的，當CMOS線性傳感器的傳感器元件采用將傳輸門和復位門連接于感光部的配置時，難以令人滿意地將電荷轉移至傳輸門和復位門。

期望能夠更令人滿意地使電荷進行轉移。

根據本發明的第一實施例，提供一種包括直線布置的多個傳感器元件的線性傳感器。多個線性傳感器中的每一個可包括感光部、讀出門和復位門，感光部感應光，產生基于感應到的光的量的電荷并積累電荷；讀出門用于讀出積累在感光部中的電荷；而復位門用于釋放積累在感光部中的電荷以進行復位，并且包含在感光部中具有最高雜質濃度的區域形成在感光部中與讀出門和復位門距離相近的位置。

根據本發明的第二實施方案，提供一種圖像傳感器，其包括布置為陣列形狀的多個像素。每個像素可包括感光部、讀出門和復位門，感光部感應光，產生基于感應到的光的量的電荷并積累電荷；讀出門用于讀出積累在感光部中的電荷；而復位門用于釋放積累在感光部中的電荷以進行復位，并且包含在感光部中具有最高雜質濃度的區域形成在感光部中與讀出門和復位門距離相近的位置。

根據本發明的第三實施方案，提供一種電子裝置，其包括具有布置為陣列形狀的多個像素的圖像傳感器。每個像素可包括感光部、讀出門和復位門，感光部感應光，其產生基于感應到的光的量的電荷并積累電荷，讀出門用于讀出積累在感光部中的電荷，而復位門用于釋放積累在感光部中的電荷以進行復位，并且包含在感光部中具有最高雜質濃度的區域形成在感光部中與讀出門和復位門距離相近的位置。

根據本發明的上述第一至第三實施方案，感光部中包含最高雜質濃度的區域形成在感光部中與讀出門和復位門相距大致相同距離的位置。

根據本發明的各實施方案，能夠將電荷更令人滿意地進行轉移。

附圖說明

圖1為示出應用本發明技術的成像裝置的實施例的配置示例的示意圖；

圖2A和2B為示出線性傳感器的配置示例的示意圖；

圖3為示出傳感器元件的第一配置示例的示意圖；

圖4為示出相關技術的傳感器元件的配置示例的示意圖；

圖5為示出傳感器元件的第二配置示例的示意圖；

圖6為示出傳感器元件的第三配置示例的示意圖；

圖7為示出傳感器元件的第四配置示例的示意圖；

圖8為示出傳感器元件的第五配置示例的示意圖；

圖9為示出傳感器元件的第六配置示例的示意圖；以及

圖10為示出圖像傳感器配置示例的示意圖。

具體實施方式

下面，將參考附圖對本發明的優選實施方案進行詳細描述。應當說明，在本說明書及其附圖中，具有大致相同功能及結構的結構性元件將由同一附圖標記標示，并且省略有關這些結構性元件的重復性說明。

下面，將參考附圖對應用本發明技術的具體實施方案進行詳細描述。

圖1為示出應用本發明技術的成像裝置的實施例的配置示例的示意圖。

圖1中，成像裝置11配置為包括透鏡單元12、主鏡13、輔鏡14、線性傳感器15、圖像傳感器16、信號處理電路17、監控器18和存儲器19。