[發明專利]一種GaN基LED外延結構及其生長方法

無效

• 申請號: 201310268414.8
• 申請日: 2013-06-28
• 公開（公告）號: CN103337572A
• 公開（公告）日: 2013-10-02
• 發明（設計）人: 羅紹軍;李鴻建;艾常濤;靳彩霞;董志江
• 申請（專利權）人: 武漢迪源光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/12
• 分類號: H01L33/12;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/00;H01L33/32
• 代理公司: 北京輕創知識產權代理有限公司 11212
• 代理人: 楊立

1.一種GaN基LED外延結構，其特征在于，所述GaN基LED外延結構由下向上依次包括藍寶石襯底層、GaN成核層、非故意摻雜u-GaN層、N型摻雜GaN層、第一電子儲存區、GaN隔層、第二電子儲存區、有源區多量子阱層、電子阻擋層、P型GaN層、接觸層。

2.根據權利要求1所述的GaN基LED外延結構，其特征在于，所述第一電子儲存區為多量子阱層，所述第二電子儲存區為超晶格層，所述第一電子儲存區的壘層比第二電子儲存區的壘層厚，所述第一電子儲存區的阱層比所述第二電子儲存區的阱層厚。

3.根據權利要求1所述的GaN基LED外延結構，其特征在于，所述第一電子儲存區為In_xGa_1-xN阱層和GaN壘層交替排列的多量子阱層，所述第二電子儲存區為In_yGa_1-yN阱層和GaN壘層交替排列的超晶格層，其中，0<x<y<1。

4.根據權利要求1所述的GaN基LED外延結構，其特征在于，所述GaN隔層的材料為nGaN或uGaN。

5.根據權利要求4所述的GaN基LED外延結構，其特征在于，所述GaN隔層的厚度大于或等于10納米。

6.根據權利要求1所述的GaN基LED外延結構，其特征在于，所述第一電子儲存區、第二電子儲存區、有源區多量子阱層的壘層以純氫氣或氫氣和氮氣的混合氣做載氣生長而得。

7.一種GaN基LED外延結構的生長方法，用于生長權利要求1所述的GaN基LED外延結構，其特征在于，在藍寶石襯底上依次生長GaN成核層、非故意摻雜u-GaN層、N型摻雜GaN層、第一電子儲存區、GaN隔層、第二電子儲存區、有源區多量子阱層、電子阻擋層、P型GaN層、接觸層。

8.根據權利要求7所述的GaN基LED外延結構的生長方法，其特征在于，所述第一電子儲存區為多量子阱層，所述第二電子儲存區為超晶格層，所述第一電子儲存區的壘層比第二電子儲存區的壘層厚，所述第一電子儲存區的阱層比所述第二電子儲存區的阱層厚。

9.根據權利要求7所述的GaN基LED外延結構的生長方法，其特征在于，生長所述第一電子儲存區、第二電子儲存區、有源區多量子阱層的壘層時以純氫氣或氫氣和氮氣的混合氣做載氣。

10.根據權利要求7所述的GaN基LED外延結構生長方法，其特征在于，所述第一電子儲存區為In_xGa_1-xN阱層和GaN壘層交替排列的多量子阱層，所述第二電子儲存區為In_yGa_1-yN阱層和GaN壘層交替排列的超晶格層，其中，0<x<y<1。