[發明專利]一種圖形化襯底及其制造方法

無效

• 申請號: 201310267247.5
• 申請日: 2013-06-28
• 公開（公告）號: CN103311387A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發明（設計）人: 張昊翔;封飛飛;萬遠濤;李東昇;江忠永
• 申請（專利權）人: 杭州士蘭明芯科技有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/10;H01L33/20
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種圖形化襯底的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供一襯底，所述襯底包括一平坦的第一結構以及在所述第一結構表面形成的掩膜層，所述掩膜層的折射率小于所述第一結構的折射率；

利用光刻和刻蝕工藝在所述第一結構表面形成圖形化的掩膜層；

以所述圖形化的掩膜層為掩膜進行濕法腐蝕工藝，以使所述第一結構形成有多個圖形化結構，每個所述圖形化結構位于對應的圖形化的掩膜層之下，所述第一結構、圖形化結構和圖形化的掩膜層形成圖形化襯底。

2.如權利要求1所述的圖形化襯底的制造方法，其特征在于：所述第一結構使用的材料為藍寶石，碳化硅，氧化鋅，氮化鋁，砷化鎵或硅中的一種。

3.如權利要求1所述的圖形化襯底的制造方法，其特征在于：所述掩膜層使用的材料為絕緣介質膜。

4.如權利要求1所述的圖形化襯底的制造方法，其特征在于：所述掩膜層為二氧化硅、氮化硅或氮氧硅中的一種。

5.如權利要求1所述的圖形化襯底的制造方法，其特征在于：所述掩膜層采用化學氣相沉積、蒸發或者濺射中的一種而形成。

6.如權利要求1所述的圖形化襯底的制造方法，其特征在于：每個所述圖形化結構的底部特征尺寸大于其頂部特征尺寸。

7.如權利要求1所述的圖形化襯底的制造方法，其特征在于：所述掩膜層的厚度為20nm-1μm。

8.一種圖形化襯底，其特征在于，包括：

一平坦的第一結構；

多個圖形化結構，位于所述第一結構之上，所述圖形化結構由部分所述第一結構經過濕法腐蝕工藝刻蝕形成；以及

圖形化的掩膜層，位于所述圖形化結構之上，且所述掩膜層的折射率小于所述第一結構的折射率。

9.如權利要求8所述的圖形化襯底，其特征在于：所述第一結構為藍寶石第一結構、碳化硅第一結構、氧化鋅第一結構、氮化鋁第一結構、砷化鎵第一結構或硅第一結構中的一種。

10.如權利要求8所述的圖形化襯底，其特征在于：所述掩膜層為絕緣介質膜掩膜層。

11.如權利要求8所述的圖形化襯底，其特征在于：所述掩膜層為二氧化硅掩膜層、氮化硅掩膜層或氮氧硅掩膜層中的一種。

12.如權利要求8所述的圖形化襯底，其特征在于：每個所述圖形化結構的底部特征尺寸大于其頂部特征尺寸。

13.如權利要求8所述的圖形化襯底，其特征在于：所述掩膜層的厚度為20nm-1μm。